[发明专利]一种无电容型十三电平逆变电路

权利要求书

1.一种多电平逆变器拓扑结构，其特征在于，包括第一单向开关S1、第二单向开关S2、第三单向开关S7、第四单向开关S8、第一双向开关S3、第二双向开关S4、第三双向开关S5、第四双向开关S6、第一直流电源1Udc、第二直流电源2Udc、第三直流电源3Udc；

第一单向开关S1的漏极和第三单向开关S7的漏极相连，第一单向开关S1的源极和第二单向开关S2的漏极相连；第二单向开关S2的漏极和负载的正电位端相连，第二单向开关S2的源极和第四单向开关S8的源极相连；

第一双向开关S3的第一漏极和第一单向开关S1的源极相连，第一双向开关S3的第二漏极和第三双向开关S5的第二漏极相连；第一双向开关S3的第一源极和第二源极相连；第二双向开关S4的第一漏极和第一单向开关S1的源极相连，第二双向开关S4的第二漏极和第四双向开关S6的第二漏极相连；第二双向开关S4的第一源极和第二源极相连；

第三双向开关S5的第一漏极和第三单向开关S7的源极相连，第三双向开关S5的第二漏极和第一直流电源1Udc的负极相连；第三双向开关S5的第一源极和第二源极相连；第四双向开关S6的第一漏极和第三单向开关S7的源极相连，第四双向开关S6的第二漏极和第三直流电源3Udc的负极相连；第四双向开关的第一源极和第二源极相连；

第三单向开关S7的漏极和第一直流电源1Udc的正极相连，第三单向开关S7的源极和第四单向开关S8的漏极相连；第四单向开关S8的漏极和负载的负电位端相连，第四单向开关S8的源极和第二直流电源2Udc的负极相连；

第一直流电源1Udc的负极与第三直流电源3Udc的正极相连，第三直流电源3Udc的负极和第二直流电源2Udc的正极相连。

2.根据权利要求1所述的一种多电平逆变器拓扑结构，其特征在于，第一单向开关S1、第二单向开关S2、第三单向开关S7、第四单向开关S8、第一双向开关S3、第二双向开关S4、第三双向开关S5、第四双向开关S6均为功率开关管。

3.根据权利要求1所述的一种多电平逆变器拓扑结构，其特征在于，所述第一双向开关S3、第二双向开关S4、所述第三双向开关S5、所述第四双向开关S6均为两个MOSFET背靠背连接构成。

4.根据权利要求1所述的一种多电平逆变器拓扑结构，其特征在于，所述第一双向开关S3、第二双向开关S4、所述第三双向开关S5、所述第四双向开关S6均为两个IGBT背靠背连接构成。

5.根据权利要求1所述的一种多电平逆变器拓扑结构，其特征在于，所述第一单向开关S1、第二单向开关S2、第三单向开关S7、第四单向开关S8均为MOSFET 。

6.根据权利要求1所述的一种多电平逆变器拓扑结构，其特征在于，所述第一单向开关S1、第二单向开关S2、第三单向开关S7、第四单向开关S8均为IGBT 。