[发明专利]清洗组成物

说明书

一种清洗组成物，用于化学机械研磨制程后，清洗包含硅锗的基板表面。上述清洗组成物，包括：一寡聚型或高分子型聚胺；至少一润湿剂；一pH调节剂；以及一溶剂。

技术领域

本发明实施例涉及清洗组成物，特别是涉及从基板去除污染物的方法以及形成半导体结构的方法。

背景技术

随着集成电路(IC)的日益小型化，对集成电路的要求越来越高，晶体管需要在尺寸越来越小的情况下有更高的驱动电流。随着高速、高集成度的互补金属氧化物半导体(CMOS)场效晶体管(FET)不断微缩化(scale down)，提高晶体管性能的方法变得越来越重要。对于某些技术节点装置的要求，对p型FET和n型FET采用不同的通道材料是必要的。例如，利用硅锗(SiGe)等含锗半导体的高电洞迁移率与硅(Si)的高电子迁移率，可大幅提升以SiGe为p型通道材料、Si为n型通道材料的混合型通道CMOS FET的性能。

发明内容

本发明实施例提供一种清洗组成物，包括：寡聚型或高分子型聚胺；至少润湿剂；pH调节剂；以及溶剂。

本发明实施例提供一种从基板去除污染物的方法，其在化学机械研磨制程后进行，包括：提供基板，其中基板的表层压缩硅锗区；以及使用清洗组成物以清洗基板的表层，清洗组成物包括寡聚型或高分子型聚胺。

本发明实施例提供一种形成半导体结构的方法，包括：形成位于基板的第一区中的第一鳍片以及位于基板的第二区中的第二鳍片，第一鳍片包含第一半导体材料，第二鳍片包含不同于第一半导体材料的第二半导体材料；执行化学机械研磨制程，以降低第一鳍片以及第二鳍片的高度；以及清洗第一鳍片以及第二鳍片的表面，通过使用清洗组成物来进行，清洗组成物包括寡聚型或高分子型聚胺。

附图说明

由以下的详细叙述配合所附图式，可最好地理解本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，可任意地放大或缩小各种元件的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例的特征。

图1是根据本公开的各种面向，绘示制造一半导体结构的方法的流程图。

图2A-图2E是根据本公开的一些实施例，绘示在该方法的各个阶段的半导体结构的剖面图。

图3是根据本公开的一些实施例，绘示一化学机械研磨系统的剖面图。

图4是根据本公开的一些实施例，绘示一清洗设备的俯视图。

其中，附图标记说明如下：

100：制造一半导体结构的方法

102-112：操作程序200

202：基板

202A：基板第一区

202B：基板第二区

204：半导体鳍片

204R：凹蚀鳍片

206：隔离结构

206R：凹蚀隔离结构

208：图案化光阻层

210：第一鳍片

220：第二鳍片

H1：高度

H2：高度

300：CMP系统

312：抛光压板

314：抛光垫

316：抛光头

318：轴