[发明专利]聚焦方法及装置、聚焦设备和存储介质有效
申请号: | 202110563449.9 | 申请日: | 2021-05-24 |
公开(公告)号: | CN113299575B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 陈鲁;魏林鹏;黄有为;张嵩 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 邵泳城 |
地址: | 518110 广东省深圳市龙华区大浪街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚焦 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
1.一种聚焦方法,其特征在于,包括:
通过第一传感器接收待测件反射的第一光源发射的光线以生成光信号,并根据所述光信号确定所述待测件和聚焦设备的距离值;
根据所述距离值调节所述待测件和所述聚焦设备之间的距离,以使得所述待测件位于第一预设高度;
通过第二传感器接收倾斜入射所述待测件,且被所述待测件反射的第二光源发射的光线以生成检测图像;及
根据所述检测图像及所述第一预设高度对应的调节范围调节所述待测件和所述聚焦设备之间的距离,以使得所述待测件处于第二预设高度;
所述根据所述光信号确定所述待测件和聚焦设备的距离值,包括:根据所述光信号的强度、颜色或波长确定所述距离值。
2.根据权利要求1所述的聚焦方法,其特征在于,还包括:
在所述检测图像包含光斑时,确定所述待测件处于所述第二预设高度。
3.根据权利要求1所述的聚焦方法,其特征在于,所述根据所述检测图像及所述第一预设高度对应的调节范围调节所述待测件和所述聚焦设备之间的距离,以使得所述待测件处于第二预设高度,包括:
确定所述第二光源发射的光线在所述检测图像中形成的光斑位置;
根据所述光斑位置和所述检测图像的预设位置的偏差,调节所述待测件和所述聚焦设备之间的距离;及
在所述光斑位置与所述预设位置的偏差小于预设偏移范围时,确定所述待测件处于所述第二预设高度。
4.根据权利要求3所述的聚焦方法,其特征在于,所述确定所述第二光源发射的光线在所述检测图像中形成的光斑位置,包括:
根据预设阈值及所述检测图像的每个像素的像素值,将所述检测图像转化为二值图像;及
根据所述二值图像确定所述光斑位置。
5.根据权利要求4所述的聚焦方法,其特征在于,所述根据所述光斑位置和所述检测图像的预设位置的偏差,调节所述待测件和所述聚焦设备之间的距离,包括:
根据所述光斑位置和所述检测图像的预设位置的相对位置,确定所述光斑的移动方向和移动距离;
根据所述移动方向确定距离调节方式以及根据所述移动距离确定调节距离;
根据所述距离调节方式和调节距离,调节所述待测件和所述聚焦设备之间的距离。
6.根据权利要求5所述的聚焦方法,其特征在于,所述根据所述移动方向确定距离调节方式,包括:
在所述移动方向为第一方向时,增大所述待测件和所述聚焦设备之间的距离;
在所述移动方向为第二方向时,减小所述待测件和所述聚焦设备之间的距离,所述第二方向和所述第一方向相反,所述预设位置位于所述光斑的移动轨迹上。
7.一种聚焦装置,其特征在于,包括:
第一确定模块,用于通过第一传感器接收待测件反射的第一光源发射的光线以生成光信号,并根据所述光信号确定所述待测件和聚焦设备的距离值;
第一调节模块,用于根据所述距离值调节所述待测件和所述聚焦设备之间的距离,以使得所述待测件位于第一预设高度;
生成模块,用于通过第二传感器接收倾斜入射所述待测件,且被所述待测件反射的第二光源发射的光线以生成检测图像;及
第二调节模块,用于根据所述检测图像及所述第一预设高度对应的调节范围调节所述待测件和所述聚焦设备之间的距离,以使得所述待测件处于第二预设高度;
所述根据所述光信号确定所述待测件和聚焦设备的距离值,包括:根据所述光信号的强度、颜色或波长确定所述距离值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造