[发明专利]一种晶圆加工用的均流腔环

说明书

本申请涉及一种晶圆加工用的均流腔环，包括环体，晶圆放置在环体的内腔内，环体的一端端面开设有凹槽，环体的端面上盖设有用于封堵凹槽的第一板，第一板的外壁上贯穿开设有用于将外界气流通入凹槽内腔内的进气口，凹槽的内腔内设置有若干个用于增加晶圆表面空气流速的上出气管，若干个上出气管绕着环体的轴向呈圆形分布，上出气管一端位于凹槽的内腔内，另一端位于环体的内腔内，凹槽的内腔内设置有若干个用于增强晶圆底面流速的下出气管，上出气管绕着环体的轴向呈圆形分布，下出气管一端位于凹槽的内腔内，另一端位于环体的内腔内，晶圆位于上出气管与下出气管之间。本申请具有提升晶圆生产质量的效果。

技术领域

本申请涉及晶圆加工技术领域，尤其是涉及一种晶圆加工用的均流腔环。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后形成硅晶片，也就是晶圆。

晶圆在制造过程中，需要对晶圆进行多次冷却，一般的晶圆冷却方式分为空冷和人为强制冷却，空冷时，由于晶圆的初始温度较高，自然冷却需花费大量的时间，因此需要借助外界冷却装置对晶圆进行加速冷却。

现有的市面上冷却装置通常为一个带喷嘴的管道，将喷嘴垂直于晶圆设置，且喷嘴的位置在冷却过程中为固定设置。

针对上述中的相关技术，发明人认为喷嘴正对晶圆表面设置，正对晶圆表面的位置处的气流流速大，而其与晶圆区域的气流流速较低，导致晶圆各区域的冷却速度不同，进而容易造成晶圆出现变形的现象，从而严重影响了晶圆的生产质量。

发明内容

为了提升晶圆的生产质量，本申请提供一种晶圆加工用的均流腔环。

本申请提供的一种晶圆加工用的均流腔环，采用如下的技术方案：

一种晶圆加工用的均流腔环，包括环体，晶圆放置在所述环体的内腔内，所述环体的一端端面开设有凹槽，所述环体的端面上盖设有用于封堵凹槽的第一板，所述第一板的外壁上贯穿开设有用于将外界气流通入凹槽内腔内的进气口，所述凹槽的内腔内设置有若干个用于增加晶圆表面空气流速的上出气管，若干个所述上出气管绕着环体的轴向呈圆形分布，所述上出气管一端位于凹槽的内腔内，另一端位于环体的内腔内，所述凹槽的内腔内设置有若干个用于增强晶圆底面流速的下出气管，所述上出气管绕着环体的轴向呈圆形分布，所述下出气管一端位于凹槽的内腔内，另一端位于环体的内腔内，晶圆位于上出气管与下出气管之间。

通过采用上述技术方案，通过外界气路管道与进气口连通，使得外界冷却气流从进气口进入凹槽的内腔内，晶圆放置在上出气管与下出气管之间，最终气流从上出气管吹向晶圆的上表面，从下出气管吹向晶圆的底面上，从而实现晶圆的快速冷却，由于上出气管与下出气管均设置有若干个，从而更加便于晶圆的四周均受到气流的冷却，且晶圆四周的冷却速度均匀，提升了整个晶圆的生产质量。

可选的，所述上出气管与下出气管伸出凹槽内腔外的一端均固定有三通管，所述三通管的出气端均呈缩口设置，所述凹槽的内腔内转动设置有第二板，所述第二板两侧的内腔呈连通设置，所述第二板上设置有用于驱使上出气管与下出气管同步转动的动力组件。

通过采用上述技术方案，通过动力组件，使得上出气管与下出气管向外吹气的过程中，实现同步且同向转动，从而使得三通管部位处形成涡流，若干个涡流位于晶圆的上下两侧，更加便于晶圆冷却。

可选的，所述动力组件包括同轴固定在上出气管外壁上的第一齿轮、同轴固定在下出气管外壁上的第二齿轮、同轴固定在第二板两侧上的端面齿轮、倾斜设置在第二板朝向第一板一侧的风板，所述第一齿轮与第二板朝向第一板一侧的端面齿轮啮合，所述第二齿轮与第二板背离第一板一侧的端面齿轮啮合，所述进气口的气流流向与风板的倾斜方向呈平行设置。