[发明专利]电子设备及其MCU固件保护方法在审
申请号: | 202110557071.1 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113326512A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 胡章焱;宋政斌 | 申请(专利权)人: | 深圳矽递科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F21/57 | 分类号: | G06F21/57;G06F21/60 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 高瑞 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电子设备 及其 mcu 保护 方法 | ||
1.一种电子设备的MCU固件保护方法,其特征在于,包括:
步骤S10.在电子设备的产测阶段,接收产测工具发送的固件密文,并将其存储至FLASH中,其中,所述产测工具以所述MCU的ID为密钥,对所述MCU固件的关键代码和/或关键数据进行加密以生成所述固件密文;
步骤S20.在电子设备的使用阶段,若需要运行所述关键代码或使用所述关键数据,则以自身ID为密钥,对所述FLASH中所存储的所述固件密文进行解密,以获取所述关键代码或所述关键数据,并运行所述关键代码或使用所述关键数据。
2.根据权利要求1所述的电子设备的MCU固件保护方法,其特征在于,在所述步骤S20中,在获取所述关键代码或所述关键数据之后,还包括:
将所述关键代码或所述关键数据存储至RAM中。
3.根据权利要求2所述的电子设备的MCU固件保护方法,其特征在于,所述将所述关键代码或所述关键数据存储至RAM中,包括:
在所述RAM中随机选择一存储地址,并将所述关键代码或所述关键数据存储至所述存储地址。
4.根据权利要求2所述的电子设备的MCU固件保护方法,其特征在于,所述步骤S20包括:
步骤S21.若需要运行所述关键代码或使用所述关键数据,则判断RAM中是否存储有解密后的所述关键代码或所述关键数据,若是,在执行步骤S22;若否,则执行步骤S23;
步骤S22.直接对所述RAM中所存储的所述关键代码进行运行或所述关键数据进行使用,然后执行步骤S24;
步骤S23.以自身ID为密钥,对所述FLASH中所存储的所述固件密文进行解密,以获取所述关键代码或所述关键数据,并将其存储至RAM中,而且,运行所述关键代码或使用所述关键数据;
步骤S24.对所述关键代码的当前运行次数或所述关键数据的当前使用次数进行更新,并判断当前运行次数或当前使用次数是否达到预设次数值,若是,则执行步骤S25;若否,则结束;
步骤S25.对RAM中所存储的解密后的所述关键代码或所述关键数据进行清除。
5.根据权利要求1-4任一项所述的电子设备的MCU固件保护方法,其特征在于,所述步骤S10包括:
步骤S11.接收产测工具发送的ID读取指令;
步骤S12.向所述产测工具发送MCU的ID,以使所处产测工具以所述MCU的ID为密钥,对所述MCU固件的关键代码和/或关键数据进行加密以生成所述固件密文;
步骤S13.接收所述产测工具发送的所述固件密文,并将其存储至FLASH中。
6.根据权利要求5所述的电子设备的MCU固件保护方法,其特征在于,
在电子设备的产测阶段,所述产测工具通过以下方式生成固件密文:
以所述MCU的ID为密钥,使用XOR算法对所述关键代码和/或关键数据的至少一部分进行加密,以生成固件密文;
在电子设备的使用阶段,MCU通过以下方式获取所述关键代码或所述关键数据:
以自身ID为密钥,使用XOR算法对所述固件密文的至少一部分进行进行解密,以获取所述关键代码或所述关键数据。
7.根据权利要求5所述的电子设备的MCU固件保护方法,其特征在于,
在电子设备的产测阶段,所述产测工具通过以下方式生成固件密文:
以所述MCU的ID为密钥,使用XOR算法对所述关键代码和/或关键数据的至少一部分进行加密,以获取第一中间数据;
对所述第一中间数据进行FEC编码,以获取第二中间数据;
生成随机数据,并按预设规则将所述随机数据填充至所述第二中间数据中以生成固件密文;
在电子设备的使用阶段,MCU通过以下方式获取所述关键代码或所述关键数据:
按预设规则从所述固件密文中挑选出其中的随机数据,并丢弃所述随机数据,以获取第二中间数据;
对所述第二中间数据进行FEC解码,以获取第一中间数据;
以自身ID为密钥,使用XOR算法对所述第一中间数据的一部分进行进行解密,以获取所述关键代码或所述关键数据。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳矽递科技股份有限公司,未经深圳矽递科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110557071.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。