[发明专利]一种微通道板

说明书

本公开是关于微通道板，属于光电技术领域。本发明提供的微通道板包括微通道板本体及设置在微通道板本体内壁的高阻薄膜；所述高阻薄膜具有由第1‑M薄膜层组成的层叠结构，每个薄膜层包括通过原子层沉积制成的第一材料层和通过原子层沉积于第一材料层上的第二材料层；所述微通道板本体内壁上为第1薄膜层的第一材料层，第i薄膜层的第一材料层沉积于第i‑1薄膜层的第二材料层上；所述高阻薄膜的厚度在预设厚度取值范围内；其中，第一材料为指定绝缘材料和指定导电材料中的任一种，第二材料为所述指定绝缘材料和指定导电材料中的另一种；i＝2,…M。本申请能够解决现有技术其副产物为有毒有害气体的问题。

技术领域

本公开涉及光电技术领域，尤其涉及一种微通道板。

背景技术

传统微通道板是由具有较高二次电子发射系数含铅玻璃制备，经过复杂工艺处理后，通道内壁粗糙度变差，会导致增益降低、噪声增加等问题，限制了其性能的提升。原子层沉积技术由于其具有可在高深宽比通道内沉积薄膜的能力，通过原子层沉积工艺在微通道板内壁制备功能层，可提升微通道板的性能，采用原子层沉积制备微通道板功能层，所得微通道板的性能可得到很大提升。

目前采用原子层沉积制备比较成熟的商业化微通道板功能层薄膜为W/Al2O3和Mo/Al2O3，通过调整W/Mo与Al2O3的比例可使其电阻满足微通道板使用要求。但是其有几个缺点：一、在ALD制备W、Mo薄膜时使用的是六氟化钨(WF6)和六氟化钼(MoF6)具有强烈的剧毒的气态前驱体，化学性质及其不稳定且不易保存，在制备该种薄膜时存在巨大的安全隐患；二、在利用ALD制备好的W/Al2O3和Mo/Al2O3的复合薄膜中，仍含有残余的杂质，其中可以检测到将近16.5％的F元素，且在导电层中残余的F、C元素会在一定程度上影响MCP的各项性能，尤其是在增益和寿命方面；三、在ALD反应过程中会伴随产生AlF3、HF、CHFx等氟化物等副产物，这些氟化物会对设备进行腐蚀，严重的损坏设备；四、利用ALD制备W薄膜时，它的生长速率高达而利用ALD制备Al2O3薄膜时它的生长速率为两者的生长速率相差较大，会导致W薄膜颗粒在包覆Al2O3颗粒时无法均匀掺杂，并最终影响导电层的性能，进而影响MCP的性能。

为了解决现有微通道板使用W/Al2O3或Mo/Al2O3时需要使用有毒前驱体源WF6或MoF6，且其副产物为有毒有害其它HF。本发明提供了一种微通道板及在微通道板内壁制备导电材料Ir、IrO2、Ru、RuO2与绝缘材料叠层的高阻薄膜。

发明内容

本发明的目的在于提供一种微通道板，用于解决使用W/Al2O3或Mo/Al2O3时需要使用到有毒前驱体源WF6或MoF6且其副产物为有毒有害气体HF的问题。本发明提供的技术方案如下：

根据本公开实施例的第一方面，提供一种微通道板，包括微通道板本体及设置在微通道板本体内壁的高阻薄膜；所述高阻薄膜具有由第1-M薄膜层组成的层叠结构，每个薄膜层包括通过原子层沉积制成的第一材料层和通过原子层沉积于第一材料层上的第二材料层；所述微通道板本体内壁上为第1薄膜层的第一材料层，第i薄膜层的第一材料层沉积于第i-1薄膜层的第二材料层上；所述高阻薄膜的厚度在预设厚度取值范围内；

其中，第一材料为指定绝缘材料和指定导电材料中的任一种，第二材料为所述指定绝缘材料和指定导电材料中的另一种；i＝2,…M。

在一个实施例中，所述第一材料层通过原子层沉积n循环所述第一材料得到，所述第二材料层通过原子层沉积m循环所述第二材料；n为自然数，m为自然数。

在一个实施例中，所述第一材料为指定绝缘材料，所述第二材料为所述指定导电材料。

在一个实施例中，所述n为5-15之间的任意整数，所述m为1-5之间的任意整数。

在一个实施例中，所述原子层沉积的沉积温度为100-400℃之间的任意温度。