[发明专利]一种高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的制备方法和应用

权利要求书

1.一种高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的制备方法，其特征在于它是按以下步骤进行的：

一、将聚乙烯吡咯烷酮溶于水中，磁力搅拌至完全溶解，然后加入柠檬酸和K₃[Co(CN)]₆并溶解，然后在转速为200转/分～300转/分的条件下，磁力搅拌10min～30min，得到无色透明溶液；

所述的聚乙烯吡咯烷酮的质量与水的体积比为1g:(10～25)mL；所述的聚乙烯吡咯烷酮与柠檬酸的质量比为1:(1～3.6)；所述的聚乙烯吡咯烷酮与K₃[Co(CN)]₆的质量比为1:(0.02～0.06)；

二、将无色透明溶液转移至水热反应釜中，在温度为100℃～180℃的条件下，反应6h～12h，自然冷却至室温，然后离心分离，得到粉色沉淀，将粉色沉淀洗涤，最后真空干燥，得到高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物。

2.根据权利要求1所述的一种高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的制备方法，其特征在于步骤二中所述的洗涤具体为将粉色沉淀分别用乙醇和超纯水洗涤。

3.根据权利要求1所述的一种高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的制备方法，其特征在于步骤二中所述的真空干燥具体为在温度为60℃～80℃的条件下，真空干燥6h～8h。

4.根据权利要求1所述的一种高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的制备方法，其特征在于步骤一中所述的聚乙烯吡咯烷酮的质量与水的体积比为1g:(12～25)mL。

5.根据权利要求1所述的一种高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的制备方法，其特征在于步骤一中所述的聚乙烯吡咯烷酮与柠檬酸的质量比为1:(1.4～3.6)。

6.根据权利要求1所述的一种高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的制备方法，其特征在于步骤一中所述的聚乙烯吡咯烷酮与K₃[Co(CN)]₆的质量比为1:(0.02～0.04)。

7.根据权利要求1所述的一种高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的制备方法，其特征在于步骤一中在转速为220转/分～300转/分的条件下，磁力搅拌10min～15min。

8.根据权利要求1所述的一种高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的制备方法，其特征在于步骤二中在温度为140℃～180℃的条件下，反应8h～12h。

9.如权利要求1所述方法制备的高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的应用，其特征在于高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物应用于湿敏元件的制备。

10.根据权利要求9所述的高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物的应用，其特征在于湿敏元件的制备具体为：在空气气氛及温度为350℃～380℃的条件下，将高稳定性的微米级立方体钴基普鲁士蓝类似物煅烧0.5h～1h，得到Co₃O₄微立方粉体，将Co₃O₄微立方粉体与无水乙醇混合得到浆料，然后将浆料均匀涂覆于镀金叉指电极表面，在温度为70℃～80℃的条件下烘干表面残留的无水乙醇，得到湿敏元件；所述的浆料中Co₃O₄微立方粉体的质量百分含量为20％～30％。