[发明专利]一种聚合物阵列结构膜的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202110546939.8 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113406731A | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 夏宏燕;张木儒;谢康 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | G02B1/04 | 分类号： | G02B1/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈嘉雯 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚合物 阵列 结构 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种聚合物阵列结构膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：在硅片上旋涂光刻胶，利用光刻机曝光、显影后形成目标图案掩模，然后刻蚀没有光刻胶图案区域的硅片，获得硅模板；
步骤2：将聚二甲基硅氧烷溶液旋涂在所述硅模板表面，固化、脱模后，得到聚合物阵列结构膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅模板为微米级阵列孔结构。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚二甲基硅氧烷溶液的制备方法包括以下步骤：
将预聚物与固化剂混合，然后放入真空箱中除去气泡；
所述真空箱的真空度为133Pa，真空时间为30min。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述预聚物与所述固化剂的质量比为8：1～16：1。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2所述固化前，还包括：将旋涂了聚二甲基硅氧烷溶液的硅模板置于真空箱中；
所述真空箱的真空度为133Pa，真空时间为30min。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述固化为光固化；
所述固化的温度为100℃，时间为45min。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1获得硅模板之后，还包括：向所述硅模板表面喷溅C4Fs。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1所述曝光时间为7s；
显影时间为45s；
所述刻蚀的速率为2μm/min。
9.权利要求1至8任意一项所述的制备方法制得的聚合物阵列结构膜在刺激响应材料中的应用。
10.一种复合膜，其特征在于，包括：权利要求1至8任意一项所述的制备方法制得的聚合物阵列结构膜和设置在所述聚合物阵列结构膜表面的聚二乙炔胶束凝胶。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学，未经广东工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110546939.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
