[发明专利]一种使用随机电容的RFID标签防转移方法

权利要求书

1.一种使用随机电容的RFID标签防转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

在芯片中的顶层金属上设置至少一个电容极板；

在所述芯片的封装凸点上平面设置与所述顶层金属平行的金属膜；

所述芯片与标签天线封装在一起形成RFID标签，所述电容极板与所述金属膜形成初始化电容。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属膜具有褶皱和/或所述金属膜制有随机切口。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片与标签天线封装在一起形成RFID标签，所述电容极板与所述金属膜形成初始化电容的步骤包括：

将封装后的RFID标签贴附在物体上，使用第一充电电压和第一比较电压读取所述电容极板与所述金属膜之间的初始化电容；

存储第一充电电压和第一比较电压与对应的初始化电容。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一充电电压和第一比较电压均使用预设的电压序列。

5.根据权利要求1-4所述的方法，其特征在于，还包括：

在RFID标签转移后，重新封装后的RFID标签的金属膜表面形状改变和/或金属膜与电容极板间距改变和/或芯片与标签天线封装中的各向异性导电胶改变导致电容极板与所述金属膜电容值改变；

对重新进行封装的RFID标签读取电容；

将读取的电容与初始化电容进行对比，如电容值变化超出预设的置信范围，则RFID标签已被转移。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对重新进行封装的RFID标签读取电容包括：

读取存储的第一充电电压和第一比较电压；

使用所述第一充电电压和第一比较电压对重新进行封装的RFID标签读取电容。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，金属膜与电容极板间电容值为：

其中，ε₀为真空中介电常数，ε为质介电系数，S为所述金属膜与所述电容极板正对面积，d为所述金属膜与所述电容极板间距离。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封装凸点的材料为金或铜。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述RFID芯片本体的顶层金属上设置有三个电容极板。

10.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一充电电压和第一比较电压与对应的初始化电容存储在芯片内置存储和/或上传存储在服务器端。