[发明专利]一种三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜的制备方法及应用

权利要求书

1.一种三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜的制备方法，其特征在于，步骤如下：

S1.PVDF/环糊精/聚多巴胺复合膜的制备：将PVDF粉末、β-环糊精粉末、多巴胺粉末和氯化钠粉末置于敞口容器中均匀混合，得到的混合物经加热一定时间后，自然冷却到室温，然后将熔融固化后的混合物取出并在热水中浸泡清洗一定时间，干燥后得到PVDF/环糊精/聚多巴胺复合膜；

S2.表面乙烯化改性复合膜的制备：配置乙醇和水的混合溶液，向其中浸入S1制备的PVDF/环糊精/聚多巴胺复合膜，随后向体系中加入一定量的3-(异丁烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷得到混合物，对混合物进行加热回流，再经乙醇清洗、干燥得到表面乙烯化改性复合膜；

S3.三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜的制备：首先将环丙沙星、甲基丙烯酸和甲基丙烯酰胺溶解于一定量的乙腈中，搅拌预聚合一段时间后，向体系中浸入S2制备的表面乙烯化改性复合膜，搅拌一段时间后依次加入二季戊四醇戊-/己-丙烯酸、四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯和2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮，利用氮气排出氧气后密封，置于紫外光照射下进行印迹聚合反应，经醇洗、水洗后，利用洗脱液对模板分子进行洗脱，干燥后得到三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜。

2.根据权利要求1所述的一种三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述的PVDF粉末、β-环糊精粉末、多巴胺粉末和氯化钠粉末的用量比为2g：0.1～0.4g：0.05～0.2g：8g。

3.根据权利要求1所述的一种三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述的加热的温度为200℃，加热时间为0.5～6h；所述的热水温度为90℃，浸泡清洗时间为24h。

4.根据权利要求1所述的一种三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，所述的混合溶液中乙醇、水、3-(异丁烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷的体积比为80：20：3；所述的加热回流温度为80℃；所述的加热回流时间为16h。

5.根据权利要求1所述的一种三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述的环丙沙星、甲基丙烯酸、甲基丙烯酰胺、乙腈和表面乙烯化改性复合膜的用量比为0.1mmol：0.1～0.3mmol：0.1～0.3mmol：75mL：2g。

6.根据权利要求1所述的一种三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述的预聚合时间为2h。

7.根据权利要求1所述的一种三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述的甲基丙烯酸与甲基丙烯酰胺总量、二季戊四醇戊-/己-丙烯酸、四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯的用量比为0.4mmol：0.6mL：0.2mL。

8.根据权利要求1所述的一种三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述的2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮用量为甲基丙烯酸、甲基丙烯酰胺、二季戊四醇戊-/己-丙烯酸和四(3-巯基丙酸)季戊四醇酯总质量的1％。

9.根据权利要求1所述的一种三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述的紫外光的波长为365nm；所述的印迹聚合反应的时间为0.5～4h。

10.根据权利要求1～9任一项所述的一种三维大孔PVDF基抗污型分子印迹膜的制备方法制备的膜材料应用于环丙沙星、恩诺沙星、诺氟沙星和氧氟沙星的混合溶液中环丙沙星的选择性分离。