[发明专利]数据存储方法、数据存储装置和电子设备

说明书

本申请公开了一种数据存储方法、数据存储装置和电子设备，属于电子数据存储的技术领域。数据存储方法包括：获取存储器中目标数据块的寿命参数，其中，目标数据块为以第一模式存储数据的数据块；在寿命参数处于第一预设区间的情况下，将目标数据块转换为以第二模式存储数据的数据块；其中，第一模式下的数据存储密度大于第二模式下的数据存储密度。

技术领域

本申请属于电子数据存储的技术领域，具体涉及一种数据存储方法、数据存储装置和电子设备。

背景技术

随着科学技术的发展，用户对于电子数据的存取需求日益增长。

其中，闪存(Flash memory)为一种电子式可清除程序化只读存储器，其允许在操作中被多次擦写，可以用于一般性数据的存储，以及对数据进行交换传输。

对于上述闪存类产品而言，如何提高其使用寿命，是本领域需要解决的技术问题。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种数据存储方法、数据存储装置和电子设备，能够解决如何有效提高存储器使用寿命的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种数据存储方法，方法包括：获取存储器中目标数据块的寿命参数，其中，目标数据块为以第一模式存储数据的数据块；在寿命参数处于第一预设区间的情况下，将目标数据块转换为以第二模式存储数据的数据块；其中，第一模式下的数据存储密度大于第二模式下的数据存储密度。

第二方面，本申请实施例提供了一种数据存储装置，数据存储装置包括：获取模块，用于获取存储器中目标数据块的寿命参数，其中，目标数据块为以第一模式存储数据的数据块；第一转换模块，用于在获取模块获取的寿命参数处于第一预设区间的情况下，将目标数据块转换为以第二模式存储数据的数据块；其中，第一模式下的数据存储密度大于第二模式下的数据存储密度。

第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第一方面所述的方法的步骤。

第四方面，本申请实施例提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第一方面所述的方法的步骤。

第五方面，本申请实施例提供了一种芯片，所述芯片包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行程序或指令，实现如第一方面所述的方法。

在本申请实施例中，通过获取存储器中目标数据块的寿命参数，可以获取目标数据块的寿命情况。其中，目标数据块为以第一模式存储数据的数据块。在寿命参数处于第一预设区间的情况下，则可以判定需要对目标数据块的存储模式进行改变，即将以第一模式存储数据的目标数据块转换为以第二模式存储数据的数据块。其中，第一模式下的数据存储密度大于第二模式下的数据存储密度。通过在目标数据块的寿命参数处于第一预设区间的情况下，对目标数据块的存储模式进行转换，可以有效提高目标数据块的使用寿命，并由此提高存储器的整体使用寿命。

附图说明

图1是本申请实施例的一种数据存储方法的流程示意图；

图2是本申请实施例的数据存储装置的结构示意图；

图3是本申请实施例的电子设备的结构示意图之一；

图4是本申请实施例的电子设备的结构示意图之二。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。