[发明专利]光刻胶的涂布方法及其光刻方法

权利要求书

1.一种光刻胶的涂布方法，其特征在于，包括：

步骤S1，在硅晶圆表面涂布一层抗反射层；

步骤S2，将所述抗反射层烘烤成型；

步骤S3，在所述抗反射层上涂布标准曝光厚度的光刻胶，并烘烤成型；

所述硅晶圆表面带有不平整衬底，所述抗反射层的厚度略大于所述不平整衬底中凸起的高度；

所述抗反射层能够溶于显影液。

2.如权利要求1所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：

所述步骤S2中，还包括步骤S21，用椭偏仪量测所述硅晶圆表面内所述抗反射层的整体厚度分布值，量测点为多个；

还包括步骤S22，将所述厚度分布值反馈给显影机内热板传感器，所述显影机根据所述厚度分布值，调整所述硅晶圆表面内不同区域的烘烤温度。

3.如权利要求2所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：

所述步骤S21中，多个所述量测点在所述硅晶圆表面均匀分布。

4.如权利要求2所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：

所述步骤S22中，所述显影机内热板传感器在所述硅晶圆表面均匀分布。

5.如权利要求1所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：

所述不平整衬底中凸起的高度大致为1300埃。

6.如权利要求1所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：

所述抗反射层为有机抗反射层。

7.一种光刻方法，其特征在于，包括：

如前述任一权利要求所述的步骤S1至S3，

还包括如下步骤，

步骤S4，涂布标准厚度的顶部抗反射层，烘烤成型；

步骤S5，曝光显影形成所需曝光图形；

步骤S6，正对所述曝光图形方向进行离子注入，形成所需的半导体掺杂。

8.如权利要求7所述的光刻方法，其特征在于：

所述步骤S5中还包括步骤51，量测所述曝光图形尺寸，量测整个所述硅晶圆表面内所有所述曝光图形尺寸的均匀性。

9.如权利要求7所述的光刻方法，其特征在于：

所述步骤S5中还包括步骤51，量测所述曝光图形尺寸，量测所述曝光图形位置在所述硅晶圆表面不平整薄膜的凸起位置周围的所述曝光图形尺寸的均匀性。