[发明专利]一种低温漂、高精度的带隙基准电压源

说明书

本发明涉及一种低温漂、高精度的带隙基准电压源。包括I_PTAT电路、I_CTAT电路、低温补偿电路、高温补偿电路、温度系数修调电路、电压幅值修调电路和V_REF产生电路。本发明基于分段补偿技术，对一阶传统带隙基准进行温度补偿，降低温度系数，同时利用数字修调技术修调温度系数和电压幅值，以获得低温漂高精度的带隙基准电压源。

技术领域

本发明涉及电路设计领域，尤其是一种低温漂、高精度的带隙基准电压源。

背景技术

带隙基准是模拟，数字或混合信号电路，例如模数转换器，数模转换器，低压差稳压器，锁相环和许多其他电子设备的重要模块。带隙基准提供一个明确的，稳定的电压，对电源电压和温度变化不敏感。这类基准的准确性和稳定性在后续电路的性能中起着重要作用。因此，具有高精度，低温度系数的曲率补偿带隙电压基准的研究具有重要的意义。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，基于分段补偿技术，对一阶传统带隙基准进行温度补偿，降低温度系数，同时利用数字修调技术修调温度系数和电压幅值，以获得低温漂高精度的带隙基准电压源。

为实现上述目的，本发明的技术方案是：一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，包括依次连接的I_CTAT电路、I_PTAT电路、低温补偿电路、高温补偿电路、温度系数修调电路、电压幅值修调电路和V_REF产生电路；

所述I_PTAT电路包括第一差分放大器A₁，第一双极型晶体管Q₁，第二双极型晶体管Q₂，第一场效应晶体管M₁，第二场效应晶体管M₂，第一电阻R₁；A₁的同相端与M₁的漏极、R₁的一端连接，A₁的反相端与M₂的漏极、Q₂的发射极连接，A₁的输出端与M₁的栅极、M₂的栅极连接，Q₁的发射极与R₁的另一端连接，Q₁的基极与Q₁的集电极、Q₂的基极、Q₂的集电极相连接至GND，M₁的源极与M₂的源极相连接至VDD；

所述I_CTAT电路包括第二差分放大器A₂，第三场效应晶体管M₃，第二电阻R₂；A₂的反相端与A₁的反相端连接，A₂的同相端经R₂连接至GND，A₂的同相端还与M_{3漏极连接}，A₂的输出端与M₃的栅极连接，M₃的的源极连接至VDD；