[发明专利]一种低温漂、高精度的带隙基准电压源

权利要求书

1.一种低温漂、高精度的带隙基准电压源，其特征在于，包括依次连接的I_PTAT电路、I_CTAT电路、低温补偿电路、高温补偿电路、温度系数修调电路、电压幅值修调电路和V_REF产生电路；

所述I_PTAT电路包括第一差分放大器A₁，第一双极型晶体管Q₁，第二双极型晶体管Q₂，第一场效应晶体管M₁，第二场效应晶体管M₂，第一电阻R₁；A₁的同相端与M₁的漏极、R₁的一端连接，A₁的反相端与M₂的漏极、Q₂的发射极连接，A₁的输出端与M₁的栅极、M₂的栅极连接，Q₁的发射极与R₁的另一端连接，Q₁的基极与Q₁的集电极、Q₂的基极、Q₂的集电极相连接至GND，M₁的源极与M₂的源极相连接至VDD；

所述I_CTAT电路包括第二差分放大器A₂，第三场效应晶体管M₃，第二电阻R₂；A₂的反相端与A₁的反相端连接，A₂的同相端经R₂连接至GND，A₂的同相端还与M₃漏极连接，A₂的输出端与M₃的栅极连接，M₃的源极连接至VDD；

所述低温补偿电路包括第四场效应晶体管M₄，第五场效应晶体管M₅，第六场效应晶体管M₆，第七场效应晶体管M₇，第八场效应晶体管M₈，第九场效应晶体管M₉；M₄的源极与M₇的源极、M₈的源极、M₉的源极相连接至VDD，M₄的栅极与A₂的输出端连接，M₄的漏极与M₅的栅极、M₅的漏极、M₆的栅极相连接，M₅的源极、M₆的源极相连接至GND，M₆的漏极与M₇的漏极、M₈的漏极、M₈的栅极、M₉的栅极相连接，M₇的栅极与A₁的输出端连接；

所述高温补偿电路包括第十场效应晶体管M₁₀，第十一场效应晶体管M₁₁，第十二场效应晶体管M₁₂，第十三场效应晶体管M₁₃，第十四场效应晶体管M₁₄，第十五场效应晶体管M₁₅；M₁₀的栅极与A₁的输出端连接，M₁₀的源极、M₁₃的源极、M₁₄的源极、M₁₅的源极相连接至VDD，M₁₀的漏极与M₁₁的漏极、M₁₁的栅极、M₁₂的栅极相连接，M₁₁的源极、M₁₂的源极相连接至GND，M₁₂的漏极与M₁₃的漏极、M₁₄的漏极、M₁₄的栅极、M₁₅的栅极相连接，M₁₅的漏极与M₉的漏极相连接；

所述温度系数修调电路包括第十六场效应晶体管M₁₆，第十七场效应晶体管M₁₇，第十八场效应晶体管M₁₈，第十九场效应晶体管M₁₉；M₁₆的源极、M₁₈的源极相连接至VDD，M₁₆的栅极、M₁₈的栅极与A₁的输出端连接，M₁₆的漏极与M₁₇的源极连接，M₁₇的漏极与M₁₉的漏极相连接，M₁₈的漏极与M₁₉的源极连接；

所述电压幅值修调电路包括第三差分放大器A₃，第三双极型晶体管Q₃，第三电阻R₃，第四电阻R₄，第五电阻R₅，第六电阻R₆，第二十场效应晶体管M₂₀，第二十一场效应晶体管M₂₁，第二十二场效应晶体管M₂₂，第二十三场效应晶体管M₂₃，第二十四场效应晶体管M₂₄，第二十五场效应晶体管M₂₅；M₂₀的源极、M₂₁的源极、M₂₂的源极、M₂₄的源极相连接至VDD，M₂₀的栅极与A₁的输出端连接，M₂₀的漏极与A₃的反相端、R₃的一端连接，M₂₁的栅极与A₃的输出端、M₂₂的栅极、M₂₄的栅极相连接、M₂₁的漏极与A₃的同相端、R₆的一端连接，M₂₂的漏极与M₂₃的源极连接，M₂₃的漏极与M₂₅的漏极相连接，M₂₄的漏极与M₂₅的源极相连接，R₃的另一端与R₄的一端、M₁₇的漏极连接，R₄的另一端与R₅的一端、M₉的漏极连接，R₅的另一端与Q₃的发射极连接，Q₃的基极、Q₃的集电极、R₆的另一端相连接至GND；

所述V_REF产生电路包括第四双极型晶体管Q₄，第二十六场效应晶体管M₂₆，第七电阻R₇，第八电阻R₈，第九电阻R₉ ；M₂₆的源极连接至VDD，M₂₆的栅极与A₁的输出端连接，M₂₆的漏极与R₇的一端、M₂₃的漏极相连接，R₇的另一端与R₈的一端、M₁₇的漏极相连接，R₈的另一端与R₉的一端、M₉的漏极相连接，R₉的另一端与Q₄的发射极连接，Q₄的基极与Q₄的集电极相连接至GND。