[发明专利]基板温度控制装置、基板处理装置以及控制方法

权利要求书

1.一种基板温度控制装置，所述基板温度控制装置用于基板处理装置，所述基板处理装置包括等离子体生成单元，所述等离子体生成单元用于使得所供应的气体成为等离子体状态，并且包括用于提供高频功率的高频电源和电连接到所述高频电源并且接收所述高频功率以感生时变磁场的多个线圈，所述基板温度控制装置包括：

支撑板，用于支撑基板；

多个加热单元，放置在所述基板的不同区域中，并且按每个区域控制所述基板的温度；

电源单元，用于提供功率以控制所述基板的温度；

开关单元，连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间，并且包括一个或多个晶体管器件；以及

控制器，用于通过控制所述开关单元来控制提供给每个加热单元的功率，

其中，所述基板温度控制装置还包括：第一滤波器，连接在所述电源单元与所述开关单元之间，并且阻挡由所述时变磁场导致流入所述电源单元中的高频功率信号；和第二滤波器，其设置于所述开关单元与所述控制器之间，并且阻挡由所述时变磁场导致流入所述控制器中的高频功率信号，所述第二滤波器包括铁氧体磁芯，且

所述晶体管器件包括MOSFET器件，所述开关单元包括分别对应于所述多个加热单元的多个MOSFET通道，所述基板温度控制装置还包括传感器单元，用于检测所述基板的温度分布信息，其中，所述控制器根据所述温度分布信息而确定打开哪个MOSFET通道，

其中，所述电源单元提供低于预定频率的交流功率，并且所述第一滤波器和所述第二滤波器阻挡高于预定频率的高频功率信号并且使得低于预定频率的交流功率信号通过。

2.一种基板处理装置，包括：

腔室，用于在其中提供基板处理空间；

基板支撑组件，用于支撑所述基板并且放置于所述腔室内；

气体供应单元，用于在所述腔室内供应气体；

等离子体生成单元，用于使得所述气体成为等离子体状态，并且包括用于提供高频功率的高频电源和电连接到所述高频电源并且接收所述高频功率以感生时变磁场的多个线圈；以及

基板温度控制单元，用于控制所述基板的温度，

其中，所述基板温度控制单元包括：

多个加热单元，放置在所述基板的不同区域中，并且按每个区域控制所述基板的温度；电源单元，用于提供功率以控制所述基板的温度；开关单元，连接在所述多个加热单元与所述电源单元之间，并且包括一个或多个晶体管器件；和

控制器，用于通过控制所述开关单元来控制提供给每个加热单元的功率，

其中，所述基板温度控制装置还包括：第一滤波器，连接在所述电源单元与所述开关单元之间，并且阻挡由所述时变磁场导致流入所述电源单元中的高频功率信号；和第二滤波器，其设置于所述开关单元与所述控制器之间，并且阻挡由所述时变磁场导致流入所述控制器中的高频功率信号，所述第二滤波器包括铁氧体磁芯，且

所述晶体管器件包括MOSFET器件，所述开关单元包括分别对应于所述多个加热单元的多个MOSFET通道，所述基板温度控制装置还包括传感器单元，用于检测所述基板的温度分布信息，其中，所述控制器根据所述温度分布信息而确定打开哪个MOSFET通道，

其中，所述电源单元提供低于预定频率的交流功率，并且所述第一滤波器和所述第二滤波器阻挡高于预定频率的高频功率信号并且使得低于预定频率的交流功率信号通过。

3.一种用于控制根据权利要求2所述的基板处理装置的方法，包括：

检测包括多个区域的所述基板的温度分布信息；以及

基于所述温度分布信息而控制所述开关单元。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，基于所述温度分布信息而控制所述开关单元包括：基于所述温度分布信息而确定用于提供功率的区域；以及

打开与所确定的所述基板的区域对应的MOSFET通道。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，基于所述温度分布信息而控制所述开关单元包括：基于所述温度分布信息而确定用于提供功率的区域；以及

将不同信号施加到与所确定的所述基板的区域对应的MOSFET栅极以及与其余所确定的区域对应的其余MOSFET栅极。