[发明专利]用于减少套刻误差的系统和方法在审

专利信息
申请号: 202110507633.1 申请日: 2021-05-10
公开(公告)号: CN113946104A 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 简宏仲;洪浩肯;杨智杰;谢铭峯;胡浚明 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 郭妍
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 减少 误差 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种用于减少套刻误差的方法,包括:

当半导体晶圆的第一侧朝向第一方向时,通过第一掩模板对所述半导体晶圆的第一侧上的第一层进行图案化;

将所述半导体晶圆翻转,在将所述半导体晶圆翻转之后,所述半导体晶圆的与所述第一侧相反的第二侧朝向所述第一方向;

围绕沿所述第一方向延伸的旋转轴旋转所述半导体晶圆;并且

通过第二掩模板对所述半导体晶圆的第二侧上的第二层进行图案化。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,对第一层的图案化或对第二层的图案化中的至少一者包括通过扫描器沿着扫描方向扫描所述半导体晶圆,所述扫描器包括所述第一掩模板或所述第二掩模板中的至少一者。

3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第二掩模板具有的图案是所述第一掩模板的图案关于与所述扫描方向横切的镜像轴的镜像。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述镜像轴与所述扫描方向正交。

5.根据权利要求1所述的方法,还包括:

将所述半导体晶圆的对准指示器在翻转所述半导体晶圆之后定向在第一位置,所述第一位置对应于在翻转所述半导体晶圆之前所述对准指示器的第二位置。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,旋转所述半导体晶圆是在将所述对准指示器定向之后执行的,并且旋转所述半导体晶圆包括:将所述对准指示器定向在第三位置,所述第三位置沿着与所述第一方向正交的第二方向与所述第一位置和所述第二位置相对。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,旋转所述半导体晶圆包括:通过旋转与所述半导体晶圆物理地耦合的晶圆台来旋转所述半导体晶圆。

8.根据权利要求1所述的方法,还包括:

在对所述半导体晶圆的第二侧上的第二层进行图案化之前,减薄所述半导体晶圆的第二侧。

9.一种半导体处理系统,包括:

曝光装置,所述曝光装置包括:

能旋转的晶圆台;

掩模板台;

所述晶圆台与所述掩模板台之间的光学组件;以及

辐射源,被配置成发射辐射,

其中,在操作中,所述曝光装置被配置成:

通过将所述辐射从由所述掩模板台保持的第一掩模板反射到半导体晶圆的第一侧,对所述半导体晶圆的第一侧上的第一层进行图案化;

在所述晶圆台上将所述半导体晶圆翻转,在将所述半导体晶圆翻转之后,所述半导体晶圆的与所述第一侧相反的第二侧朝向所述第一方向;

通过围绕旋转轴旋转所述晶圆台,来旋转所述半导体晶圆;并且

通过将所述辐射从由所述掩模板台保持的第二掩模板反射到所述半导体晶圆的第二侧,对所述半导体晶圆的第二侧上的第二层进行图案化。

10.一种用于减少套刻误差的方法,包括:

对半导体晶圆朝向第一掩模板的正面上的第一层进行图案化,所述第一掩模板与掩模板台耦合,对第一层进行图案化包括:利用由所述第一掩模板反射的辐射沿扫描方向扫描第一层的多个曝光场中的每一个;

翻转所述半导体晶圆,在翻转所述半导体晶圆之后,所述半导体晶圆的背面朝向耦合到所述掩模板台的第二掩模板;

当所述半导体晶圆的背面朝向所述第二掩模板时,围绕旋转轴旋转所述半导体晶圆;并且

对所述半导体晶圆的背面上的第二层进行图案化,对第二层进行图案化包括利用由所述第二掩模板反射的辐射沿所述扫描方向扫描第二层的多个曝光场中的每一个,其中,所述第二掩模板具有的图案是所述第一掩模板的图案关于与所述扫描方向正交的镜像轴的镜像。

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