[发明专利]一种量子点电致发光器件

说明书

本发明公开一种量子点电致发光器。所述量子点电致发光器件对应的纯电子器件记为EOD器件，所述量子点电致发光器件对应的纯空穴器件记为HOD器件；在相同电流密度下，所述EOD器件对应的电压记为V_EOD，所述HOD器件对应的电压记为V_HOD；其中，在5mA/cm²以上的电流密度下，所述量子点电致发光器件的空穴功能层和电子功能层被配置为0.5V≤V_HOD‑V_EOD≤10V。发明人经研究和测试发现，在相同电流密度下，量子点电致发光器件的空穴功能层和电子功能层被配置为0.5V≤V_HOD‑V_EOD≤10V时，该量子点电致发光器件具有长的寿命。

技术领域

本发明涉及量子点电致发光器件技术领域，尤其涉及一种量子点电致发光器件。

背景技术

由于量子点独特的光电性质，例如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。

经过二十多年的发展，量子点材料得到了飞跃发展，红绿蓝QLED器件的外量子效率得到了巨大提升，尤其在以CdSe为主的器件。QLED器件效率的提升突出了其未来的前景。到目前为止，已经有很多研究针对QLED器件进行结构和材料优化，包括核壳量子点材料的选择和核壳界面的合金化以减少表面缺陷和抑制俄歇过程、核壳量子点表面配体的设计和优化电荷传输层的设计等，以提高其外量子效率并延长寿命。

QLED器件的研究都使用的是核壳结构的量子点，其被证明具有优异的性能。壳层能够很好地保护量子点，减少表面缺陷并提高量子产率，有效地抑制非辐射跃迁；壳层也被证明能够减少在量子点薄膜中的Foster能量转移过程，通过增加壳层厚度减少了偶极共振，从而提高了量子点薄膜的量子产率。

QLED器件工作时需要注入电子和空穴，最简单的QLED器件由阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极组成。在QLED器件中，量子点薄膜夹在电荷传输层中间，当正向偏压加到QLED器件两端时，电子和空穴分别通过电子传输层和空穴传输层进入量子点发光层，并在量子点发光层进行复合发光。电荷传输层不仅影响了电荷注入效率，同时也对QLED的工艺提出了要求，影响了外部量子效率。电子－空穴的注入不平衡不仅仅会减少注入的电荷转化为激子的能力，也会使得电荷在QLED器件内累积，增加了带电激子的非辐射跃迁，使得效率降低和使用寿命衰减。QLED中有效的激子形成需要具有良好阻挡性能的电荷传输层，以实现QD层内的有效电荷限制以及对电子注入和空穴注入的合理调制以实现电荷平衡。

目前红绿蓝三基色的量子点器件量子效率均大于20％，量子点器件效率已经达到商业化应用的水平。但是，对应的器件寿命与OLED相比，还有一定的差距，尤其是蓝色量子点器件。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明提出了一种量子点电致发光器件，旨在解决现有量子点电致发光器件的寿命低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点电致发光器件，其中，所述量子点电致发光器件对应的纯电子器件记为EOD器件，所述量子点电致发光器件对应的纯空穴器件记为HOD器件；

在相同电流密度下，所述EOD器件对应的电压记为V_EOD，所述HOD器件对应的电压记为V_HOD；

其中，在5mA/cm²以上的电流密度下，所述量子点电致发光器件的空穴功能层和电子功能层被配置为0.5V≤V_HOD-V_EOD≤10V。