[发明专利]发光元件结构

权利要求书

1.一种发光元件结构，其特征在于，包括：

一发光部，具有一出光面；

一反射部，位于该发光部相反于该出光面的一侧，该反射部为一梯度分布式布拉格反射结构且包括：

多个第一介电层；

多个第二介电层，具有与所述多个第一介电层不同的折射率，并与所述多个第一介电层交错堆叠，其中各该第一介电层的光学厚度皆不同，各该第二介电层的光学厚度皆不同，且所述多个第一介电层和所述多个第二介电层的光学厚度自邻近该发光部处往远离该发光部的方向呈梯度式变化。

2.根据权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于，任两个彼此相邻接触的所述多个第一介电层和所述多个第二介电层之间的光学厚度差异介于1％至3％之间。

3.根据权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于，还包括：

一平坦层，位于该发光部与该反射部之间并紧贴该反射部，其中该平坦层包括介电材料；以及

一保护层，紧贴该反射部，该反射部位于该平坦层和该保护层之间，其中该保护层包括介电材料。

4.根据权利要求3所述的发光元件结构，其特征在于，该平坦层的实际厚度介于4(λ_max/4n_f)至8(λ_max/4n_f)之间，该保护层的实际厚度介于1(λ_max/4n_p)至2(λ_max/4n_p)之间，其中λ_max为一选取波长范围的最大波长数值，n_f及n_p分别为该平坦层与该保护层的折射率。

5.根据权利要求3所述的发光元件结构，其特征在于，对于波长为1000纳米至1100纳米并由该保护层一侧入射往该发光部方向的入射光，该反射部的反射率小于15％。

6.根据权利要求3所述的发光元件结构，其特征在于，对于自该发光部往该保护层方向并与该反射部和该平坦层的交界面的法线方向呈0度的入射光，该反射部的反射率大于95％，且对于自该发光部往该保护层方向并与该反射部和该平坦层的交界面的法线方向呈60度的入射光，该反射部的反射率大于40％。

7.根据权利要求3所述的发光元件结构，其特征在于，还包括一基板，位于该发光部和该平坦层之间并紧贴该平坦层。

8.根据权利要求4所述的发光元件结构，其特征在于，该选取波长范围为450纳米至670纳米。

9.根据权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于，任一所述第一介电层的实际厚度大于位于其相反两侧并紧邻该任一所述第一介电层的两个所述第二介电层个别的实际厚度，且任一所述第二介电层的实际厚度小于位于其相反两侧并紧邻任一所述第二介电层的两个所述第一介电层个别的实际厚度。

10.根据权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于，所述多个第一介电层的实际厚度介于70纳米至140纳米之间，所述多个第二介电层的实际厚度介于35纳米至70纳米之间。

11.根据权利要求3所述的发光元件结构，其特征在于，该平坦层的实际厚度介于400纳米至1000纳米之间，该保护层的实际厚度介于180纳米至360纳米之间。

12.根据权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于，还包括一基板，且该发光部位于该基板与该反射部之间。

13.根据权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于，还包括一基板，且该反射部位于该基板与该发光部之间。

14.根据权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于，所述多个第一介电层和所述多个第二介电层交错堆叠后各层的光学厚度自邻近该发光部处往远离该发光部的方向呈梯度式变化。