[发明专利]一种射频前端模组、制备天线和滤波器的方法及装置有效

专利信息
申请号: 202110496972.4 申请日: 2021-05-07
公开(公告)号: CN113381782B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 南天翔;田世伟;季雅惠 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H01Q1/24;H01P11/00
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 李丹;栗若木
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 射频 前端 模组 制备 天线 滤波器 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种射频前端模组,包括:集成在同一基底材料上的同一侧的:一个以上天线、滤波器、功率放大器和低噪声放大器;

其中,在所述基底材料上集成所述射频前端模组,用于通过简化射频前端模组的制备和封装,以减小其在便携式移动设备中的空间占用和组件之间的连接功耗;所述基底材料设置于一个晶圆上;所述天线包括:磁致伸缩层、及位于磁致伸缩层下方的第一压电层;第一压电层包含压电结构,设置为:压电结构在馈电的驱动下产生振动;磁致伸缩层由磁致伸缩材料构成,设置为:磁致伸缩材料在压电结构产生的振动下产生形变,以产生电磁波。

2.根据权利要求1所述的射频前端模组,其特征在于,所述天线还包括:

以基底材料作为衬底的第一底电极。

3.根据权利要求1所述的射频前端模组,其特征在于,所述基底材料上集成有所述滤波器时,所述滤波器包括:第二压电层,以及第二底电极和/或第二顶电极。

4.根据权利要求1所述的射频前端模组,其特征在于,所述磁致伸缩材料为绝缘材料,所述第一压电层和所述磁致伸缩层之间还包含第一顶电极。

5.根据权利要求1所述的射频前端模组,其特征在于,所述天线的波段包括以下宽频波段:兆赫兹MHz到60吉赫兹GHz。

6.根据权利要求1所述的射频前端模组,其特征在于,所述天线包括两个以上时,两个以上所述天线采用以下方式之一分布连接:串联、并联、或串联和并联相结合。

7.根据权利要求2所述的射频前端模组,其特征在于,所述第一底电极为叉指电极或全电极。

8.根据权利要求4所述的射频前端模组,其特征在于,所述第一顶电极为叉指电极或全电极。

9.根据权利要求3所述的射频前端模组,其特征在于,所述滤波器包括所述第二底电极时,所述第二底电极为叉指电极或全电极;

所述滤波器包括所述第二顶电极时,所述第二顶电极为叉指电极或全电极。

10.根据权利要求1所述的射频前端模组,其特征在于,所述基底材料包括以下之一:硅晶圆、包含绝缘体上硅(SOI)和碳化硅SiC。

11.根据权利要求1所述的射频前端模组,其特征在于,所述基底材料和所述第一压电层之间设置有绝缘层。

12.根据权利要求3所述的射频前端模组,其特征在于,所述基底材料和所述第二压电层之间设置有绝缘层。

13.根据权利要求1~12任一项所述的射频前端模组,其特征在于,所述射频前端模组还包括集成在所述基底材料上与所述天线同一侧的:射频开关和/或双工器。

14.根据权利要求1、2、7、8或11所述的射频前端模组,其特征在于,所述第一压电层由以下压电材料制备:

晶体薄膜或者陶瓷薄膜。

15.根据权利要求3、9或12所述的射频前端模组,其特征在于,所述第二压电层由以下压电材料制备:

晶体薄膜或者陶瓷薄膜。

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