[发明专利]一种活塞杆表面处理工艺

权利要求书

1.一种活塞杆表面处理工艺，包括：

S1：基材表面去氢处理；

S2：镀铬，采用工业普通电镀铬方法在基材表面电镀铬层；其中，电镀液配方包括：CrO₃230～250g/L，硫酸2.3～2.5g/L，RC-25K开缸剂18～21mg/L，铬雾抑制剂38～46mg/L；

S3：退火处理，将步骤S2得到的镀铬基材进行退火处理，温度梯度为200～600℃，每升高100℃，恒温处理1.5～2h；

所述电镀液配方中还包括18～26mg/L的(5-巯基苯并咪唑-2-基)氨基甲酸甲酯改性乙烯基聚硅氧烷；

所述(5-巯基苯并咪唑-2-基)氨基甲酸甲酯改性乙烯基聚硅氧烷由乙烯基聚硅氧烷结构中的双键与(5-巯基苯并咪唑-2-基)氨基甲酸甲酯结构中的巯基通过巯烯点击反应制得。

2.一种活塞杆表面处理工艺，包括：

S1：基材表面去氢处理；

S2：镀铬，采用工业普通电镀铬方法在基材表面电镀铬层；其中，电镀液配方包括：CrO₃230～250g/L，硫酸2.3～2.5g/L，RC-25K开缸剂18～21mg/L，铬雾抑制剂38～46mg/L；

S3：退火处理，将步骤S2得到的镀铬基材进行退火处理，温度梯度为200～600℃，每升高100℃，恒温处理1.5～2h；

S4：辉光等离子渗透技术处理，将步骤S3得到的样品放入等离子化学热处理设备中，按照常规操作进行等离子渗透处理；其中，等离子渗透处理包括渗金属和渗硫；

所述电镀液配方中还包括18～26mg/L的权利要求1中所述的(5-巯基苯并咪唑-2-基)氨基甲酸甲酯改性乙烯基聚硅氧烷。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的一种活塞杆表面处理工艺，其特征在于：所述步骤S1中基材表面去氢处理具体包括：将基材放入油浴中200～250℃下，保温处理2～3h。

4.根据权利要求1或权利要求2所述的一种活塞杆表面处理工艺，其特征在于：所述步骤S2中电镀条件具体为：温度50～55℃，电流密度32～46A/dm²，时间55～65min，纯铅阳极；所述电镀过程重复操作5次，且每次操作均改变电流密度值。

5.根据权利要求1或权利要求2所述的一种活塞杆表面处理工艺，其特征在于：所述步骤S2中铬雾抑制剂为全氟烷基聚氧乙烯醚磺酸、氟辛基磺酸钾、全氟辛基磺酸四乙基铵盐以及非氟型铬雾抑制剂中的一种。

6.根据权利要求1或权利要求2所述的一种活塞杆表面处理工艺，其特征在于：所述步骤S2中单层铬层厚度为1～5μm。

7.根据权利要求2所述的一种活塞杆表面处理工艺，其特征在于：所述步骤S4中渗金属过程所选源极材料为镝板、硒丝和镉丝；渗硫用渗剂为CS₂。

8.权利要求1中所述的(5-巯基苯并咪唑-2-基)氨基甲酸甲酯改性乙烯基聚硅氧烷在增强镀铬层硬度中的用途。