[发明专利]用于表面声波器件的复合基板及其制造方法

权利要求书

1.一种用于表面声波器件的复合基板，包括：压电单晶薄膜，支撑基板，以及在所述压电单晶薄膜和所述支撑基板之间的第一中间层，其中：

所述第一中间层与所述压电单晶薄膜接触；并且

所述第一中间层的横波的声速比所述压电单晶薄膜的快横波的声速快。

2.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述第一中间层的水蒸气透过率为10^-3(g/m²/天)以下。

3.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述第一中间层是氮氧化硅、氮化硅、非晶氮化铝或氧化铝中的任一种。

4.根据权利要求1所述的复合基板，其中：

在所述第一中间层和所述支撑基板之间设置有第二中间层；并且

所述第二中间层的横波的声速比所述压电单晶薄膜的快横波的声速慢。

5.根据权利要求4所述的复合基板，其中，所述第二中间层包含二氧化硅、二氧化钛、五氧化钽、五氧化铌和二氧化锆中的任一种。

6.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述第一中间层和与所述第一中间层相邻的至少一个层之间的粘合界面具有凹凸结构，并且

所述凹凸结构的横截面曲线中的单元的平均长度RSm与当用作所述表面声波器件时的表面声波的波长λ的比率为0.2以上且5.0以下。

7.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述复合基板的体积电阻率为1×10¹²Ω·cm以下。

8.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述压电单晶薄膜由钽酸锂或铌酸锂形成。

9.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述支撑基板是硅晶圆、蓝宝石晶圆、氧化铝晶圆、玻璃晶圆、碳化硅晶圆、氮化铝晶圆、氮化硅晶圆和结晶石英晶圆中的任一种。

10.根据权利要求1所述的复合基板，其中，所述压电单晶薄膜具有单极化。

11.一种制造复合基板的方法，包括：

在压电材料基板的一侧上沉积防扩散层的步骤；

在所述防扩散层上进一步沉积中间层的步骤；

将支撑基板粘合在所述防扩散层上的步骤；以及

减薄所述压电材料基板的另一侧的步骤，

其中，在包含氮气或氢气的还原性或惰性气体气氛下对所述复合基板进行热处理。

12.根据权利要求11所述的制造复合基板的方法，其中，所述防扩散层是氮氧化硅、氮化硅、非晶氮化铝或氧化铝中的任一种。

13.根据权利要求11所述的制造复合基板的方法，其中，在沉积所述防扩散层的步骤中，通过PVD法或CVD法沉积所述防扩散层。

14.根据权利要求11所述的制造复合基板的方法，其中，所述中间层包含二氧化硅、二氧化钛、五氧化钽、五氧化铌和二氧化锆中的任一种。

15.根据权利要求11所述的制造复合基板的方法，在沉积所述防扩散层的步骤之前还包括在所述压电材料基板的一个表面上形成凹凸结构的步骤。