[发明专利]低压降稳压器及其控制方法有效
申请号: | 202110493249.0 | 申请日: | 2021-05-07 |
公开(公告)号: | CN114089799B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 徐浩桓;颜琳臻 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 浦彩华;姚开丽 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 稳压器 及其 控制 方法 | ||
本发明公开了一种低压降稳压器及其控制方法,低压降稳压器包含放大器、第一晶体管、第二晶体管以及交换器。第二晶体管耦接于放大器以及第一晶体管。交换器耦接于第一晶体管,其中当低压降稳压器的供电电压值低于供电电压阈值,交换器的第一路径被选择且第一交换器电压值被传送至第一晶体管以完全导通第一晶体管,且低压降稳压器的输出电压值相等于供电电压值,其中当供电电压值不低于供电电压阈值,交换器的第二路径被选择且第二交换器电压值被传送至第一晶体管以关闭第一晶体管,且输出电压值是由第二晶体管以及放大器所调整。本发明在供电电压值接近目标低压降稳压器输出电压值时维持低压降稳压器输出电压值。
技术领域
本发明中所述实施例内容是有关于一种低压降稳压器及其控制方法,特别关于一种用以维持低压降稳压器的输出电压值的低压降稳压器及其控制方法。
背景技术
低压降稳压器的通用供电电压值为1.2V。但是,当供电电压值变得低于默认值时,会引起较大的低压降稳压器输出电压值误差并提供较小的驱动电流。当电源电压值接近目标低压降稳压器输出电压值时,例如,当电源电压值与目标低压降稳压器输出电压值之间存在差异较小时,先前的设计很难维持目标低压降稳压器的输出电压值。
在一些设计中,通过类比交换器的实施,以控制输入到低压降稳压器的通路晶体管的栅极端的电压值,并且通过控制通路晶体管的电导率来调节输出电压值。然而,在先前的设计中,当存在类比交换器的控制信号上有一个转换时,会造成低压降稳压器的大输出压降,并且当造成低压降稳压器的大输出压降时,需要很长的响应时间才能达到目标输出电压。
发明内容
本发明的目的在于提供一种低压降稳压器,其在供电电压值接近目标低压降稳压器输出电压值时维持低压降稳压器输出电压值。
本发明的一些实施方式是关于一种低压降稳压器。此低压降稳压器包含放大器、第一晶体管、第二晶体管以及交换器。第二晶体管耦接于放大器以及第一晶体管。交换器耦接于第一晶体管,其中当低压降稳压器的供电电压值低于供电电压阈值,交换器的第一路径被选择且第一交换器电压值被传送至第一晶体管以完全导通第一晶体管,且低压降稳压器的输出电压值相等于供电电压值,其中当供电电压值不低于供电电压阈值,交换器的第二路径被选择且第二交换器电压值被传送至第一晶体管以关闭第一晶体管,且输出电压值由第二晶体管以及放大器所调整。
在部分实施例中,其中第一交换器电压值为0,且第二交换器电压值为供电电压值。
在部分实施例中,其中第一晶体管以及第二晶体管为PMOS晶体管。
在部分实施例中,其中当输出电压值低于一输出电压阈值,输入至第二晶体管的一放大器输出值降低,其中当输出电压值不低于输出电压阈值,输入至第二晶体管的放大器输出值升高。
在部分实施例中,其中放大器的第一输入端接收输出电压阈值,放大器的第二输入端接收输出电压值,且放大器的输出端输出放大器输出值。
在部分实施例中,其中当输入至第二晶体管的放大器输出值降低,输出电压值升高,且当输入至第二晶体管的放大器输出值升高,输出电压值降低。
本发明的一些实施方式是关于一种控制方法。此控制方法适用于低压降稳压器。此控制方法包含以下步骤:当供电电压值低于供电电压阈值时,传送第一交换器电压值至第一晶体管以完全导通第一晶体管,以使输出电压值相等于供电电压值;以及当供电电压值不低于供电电压阈值时,传送第二交换器电压值至第一晶体管以关闭第一晶体管,以使输出电压值被第二晶体管以及放大器调整。
在部分实施例中,其中第一交换器电压值为0且第二交换器电压值为供电电压值。
在部分实施例中,还包含:选择交换器的第一路径以传送第一交换器电压值至第一晶体管;以及选择交换器的第二路径以传送第二交换器电压值至第一晶体管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南亚科技股份有限公司,未经南亚科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110493249.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:生成可用于检查半导体样本的训练数据
- 下一篇:一种井点降水装置的操作方法