[发明专利]感测两个存储器单元以确定一个数据值有效
申请号: | 202110491692.4 | 申请日: | 2021-05-06 |
公开(公告)号: | CN113628672B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | F·佩里兹 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G11C29/50 | 分类号: | G11C29/50 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 两个 存储器 单元 确定 一个 数据 | ||
本公开包含用于感测两个存储器单元以确定一个数据值的设备、方法及系统。实施例包含具有多个存储器单元的存储器及经配置以感测两个存储器单元中的每一个的存储器状态以确定一个数据值的电路系统。通过以下操作来确定一个数据值:在对应于第一存储器状态的第一阈值电压分布与对应于第二存储器状态的第二阈值电压分布之间的感测窗中使用第一感测电压来感测所述两个存储器单元中的第一个的所述存储器状态,且在所述感测窗中使用第二感测电压来感测所述两个存储器单元中的第二个的所述存储器状态。所述第一感测电压及所述第二感测电压在所述感测窗中选择性地更靠近于所述第一阈值电压分布或所述第二阈值电压分布。
技术领域
本公开大体来说涉及半导体存储器及方法,且更特定来说,涉及感测两个存储器单元以确定一个数据值。
背景技术
存储器装置通常经提供作为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可装卸式装置。存在许多不同类型的存储器,包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力来维持其数据,且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM),以及其它。非易失性存储器可通过在未供电时保留所存储数据而提供永久数据,且可包含“与非”快闪存储器、“或非”快闪存储器、只读存储器(ROM),及电阻可变存储器,例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM),及可编程导电存储器以及其它存储器。
存储器装置可用作需要高存储器密度、高可靠性及/或低功耗的广泛电子应用中的易失性存储器及非易失性存储器。非易失性存储器可用于例如个人计算机、便携式存储器棒、固态硬盘(SSD)、数码相机、蜂窝式电话、例如MP3播放器的便携式音乐播放器及电影播放器以及其它电子装置中。
可变电阻存储器装置可包含电阻可变存储器单元,其可基于存储元件(例如,具有可变电阻的存储器元件)的电阻状态来存储数据。如此,电阻可变存储器单元可经编程以通过使存储器元件的电阻电平变化而存储对应于目标存储器状态的数据。电阻可变存储器单元可通过将电场或能量源(例如正或负电脉冲(例如,正或负电压或电流脉冲))施加到存储器单元(例如,到存储器单元的存储器元件)达特定持续时间来经编程为目标存储器状态(例如,对应于特定电阻状态)。可通过响应于所施加询问电压感测穿过存储器单元的电流来确定电阻可变存储器单元的状态。基于存储器单元的电阻水平而变化的感测电流可指示存储器单元的状态。
可以交叉点架构来组织各种存储阵列,其中存储器单元(例如,电阻可变存储器单元)位于用于存取存储器单元的第一信号线与第二信号线的交点(例如,字线与位线的交叉点)处。一些电阻可变存储器单元可包括与存储元件(例如,相变材料、金属氧化物材料及/或一些其它可编程为不同电平的材料)串联的选择元件(例如,二极管、晶体管或其它开关装置)。一些电阻可变存储器单元(其可被称为自选存储器单元)可包含单一材料,其可用作存储器单元的选择元件及存储元件两者。
发明内容
本公开的方面是针对一种设备,其具有两个存储器单元,用以确定一个数据值,所述设备包括:存储器,其具有多个存储器单元;及电路系统,其经配置以通过以下操作来感测所述多个存储器单元中的两个存储器单元中的每一个的存储器状态,以确定一个数据值:在对应于第一存储器状态的第一阈值电压分布与对应于第二存储器状态的第二阈值电压分布之间的感测窗中使用第一感测电压来感测所述两个存储器单元中的第一个的所述存储器状态;及在所述感测窗中使用第二感测电压来感测所述两个存储器单元中的第二个的所述存储器状态;其中所述第一感测电压及所述第二感测电压在所述感测窗中选择性地更靠近于所述第一阈值电压分布或所述第二阈值电压分布。
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