[发明专利]制备(I-III-VI族)AgInS2

说明书

本发明公开了制备(I‑III‑VI族)AgInS₂量子点的方法。该方法包括：将Ag源、In源、表面配体与第一溶剂混合，得到阳离子前驱体溶液；将S源与第二溶剂混合，得到阴离子前驱体溶液；将所述阳离子前驱体溶液进行第一加热处理后，向所述阳离子前驱体溶液中注入所述阴离子前驱体溶液，并进行第一合成反应，得到AgInS₂量子点原液；对所述AgInS₂量子点原液进行离心处理，并对所得清液进行清洗处理，得到所述AgInS₂量子点。该方法可制备得到窄带边发射的AgInS₂量子点，且方法可控性高，能够满足实际应用的要求。

技术领域

本发明涉及材料领域，具体而言，本发明涉及制备(I-III-VI族)AgInS₂量子点的方法。

背景技术

量子点(QD)又称为半导体纳米晶，表现出独特的电子和光学性质，如激发光谱宽、发射光谱窄、发光波长随尺寸组分可调、光稳定性好等，这些特点使他们广泛应用于生物成像、发光二极管、太阳能电池和发光器件等领域中。

目前，人们应用最多的是二元量子点，这些量子点多由II-VI族和IV-VI族半导体元素组成，如CdSe、CdTe和PbS等，而这些量子点中含有Cd、Pb等重金属元素潜在的毒性却极大限制了其实际应用。

AgInS₂量子点不含重金属元素，具有其低毒环保的优点，并且在可见光区域具有很大的吸收系数，是一种极具潜力的发光材料。

对于AgInS₂量子点的合成，存在的普遍挑战是平衡两种阳离子前体与一种阴离子前体的反应性，因为Ag⁺和In³⁺的反应活性存在很大差异，其与S之间形成的键能不一，易产生本征缺陷。为了平衡Ag源、In源和S源的反应，在2007年的时候，有研究者使用单一前驱体热解法来制备AgInS₂量子点，不过该方法必须为每种组合物设计分子前体，并且由于分解过程的复杂性而难以控制粒径和形状。可见，现有的制备(I-III-VI族)AgInS₂量子点的方法仍有待改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出制备(I-III-VI族)AgInS₂量子点的方法。该方法可制备得到窄带边发射的AgInS₂量子点，且方法可控性高，能够满足实际应用的要求。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种制备AgInS₂量子点的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：将Ag源、In源、表面配体与第一溶剂混合，得到阳离子前驱体溶液；将S源与第二溶剂混合，得到阴离子前驱体溶液；将所述阳离子前驱体溶液进行第一加热处理后，向所述阳离子前驱体溶液中注入所述阴离子前驱体溶液，并进行第一合成反应，得到AgInS₂量子点原液；对所述AgInS₂量子点原液进行离心处理，并对所得清液进行清洗处理，得到所述AgInS₂量子点。由此，该方法可以制备得到窄带边发射的AgInS₂量子点，且方法可控性高，能够满足实际应用的要求。

另外，根据本发明上述实施例的制备AgInS₂量子点的方法还可以具有如下附加的技术特征：

在本发明的一些实施例中，所述Ag源选自醋酸银、碳酸银、硝酸银、硫酸盐、卤化银中的至少之一。

在本发明的一些实施例中，所述In源选自醋酸铟、硝酸铟、硫酸铟、卤化铟、乙酰丙酮铟中的至少之一。

在本发明的一些实施例中，所述表面配体为十二硫醇。

在本发明的一些实施例中，所述S源选自硫脲、N,N-二甲基硫脲、硫单质中的至少之一。