[发明专利]一种含铜靶材的自动抛光工艺方法

说明书

本发明提供了一种含铜靶材的自动抛光工艺方法，所述工艺方法包括以下步骤：采用自动抛光设备对含铜靶材的溅射面进行自动抛光，所述自动抛光过程包括四道抛光工序，抛光所用砂带的粒度依次递减，得到抛光后的含铜靶材。本发明所述工艺方法根据靶材材质的选择，采用不同型号的砂带对靶材溅射面进行自动抛光，所用砂带的粒度依次减小，并通过抛光工艺参数的控制，以保证溅射面抛光后的粗糙度的可控性，使含铜靶材溅射面的粗糙度可达到0.2～0.3μm，满足后续的使用要求；所述抛光工艺自动化进行，稳定性好，减少了人工操作，提高了生产效率，也能够提高靶材生产的合格率。

技术领域

本发明属于靶材制备技术领域，涉及一种含铜靶材的自动抛光工艺方法。

背景技术

随着半导体行业的快速发展，镀膜材料作为半导体电子器件制造的重要材料，其需求量也日益增加。靶材作为一种重要的镀膜材料，在集成电路、平面显示、太阳能、光学器件等领域具有广泛的应用，由靶材制备薄膜最常用的方法包括溅射镀膜法，为保证薄膜产品的优异性能，对靶材的结构等特征均有要求，因而需要对靶材的制备工艺进行控制，以得到符合溅射要求的靶材。

抛光处理是靶材制备过程中的重要操作步骤之一，对于靶材的表面性能，例如粗糙度、平整度等参数有重要影响，然而目前的抛光工艺，往往会造成表面粗糙度不稳定以及色泽不均匀，且人工操作或半自动操作时的抛光效率较低，且根据靶材材质的不同，抛光参数也需要调整，然而人工操作难以精确调节参数，造成工艺稳定性较差，产品的合格率降低，因而需要针对不同的靶材选择合适的自动抛光工艺，提高生产效率及产品品质。

CN 111975465A公开了一种钼靶材溅射面的抛光工艺，所述抛光工艺包括依次进行的第一机械抛光、第二机械抛光、第三机械抛光及第四机械抛光；所述第一机械抛光中的进给速度为2～3m/min；所述第二机械抛光中的进给速度为4～5m/min；所述第三机械抛光中的进给速度为6～8m/min；所述第四机械抛光中的进给速度为7～9m/min，该抛光工艺主要是对钼靶材的溅射面进行抛光，主要控制参数为各级抛光的进给速度，对于加工高度的选择并未公开，且未公开采用的抛光设备。

CN 107866721A公开了一种靶材组件的加工方法，包括：提供具有待加工面的靶坯；采用砂带对待加工面进行自动抛光处理以形成溅射面；该加工方法中虽然包括自动抛光处理，但并未明确处理的靶材种类，其公开的粗抛光、精抛光等工艺并未明确加工高度及进给速度，且加工时间较长，该工艺较为简略，难以实现精确加工。

综上所述，对于某些特定种类的靶材，还需要根据材料特性选择合适的自动抛光工艺，配合抛光设备的运行，达到更好的抛光效果。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种含铜靶材的自动抛光工艺方法，所述工艺方法根据靶材材质的选择，采用不同型号的砂带对靶材溅射面进行自动抛光，所用砂带的粒度依次减小，并通过抛光工艺参数的控制，以保证抛光后靶材的粗糙度，使其满足后续的使用要求。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供了一种含铜靶材的自动抛光工艺方法，所述工艺方法包括以下步骤：

采用自动抛光设备对含铜靶材的溅射面进行自动抛光，所述自动抛光过程包括四道抛光工序，抛光所用砂带的粒度依次递减，得到抛光后的含铜靶材。

本发明中，对于靶材的自动抛光工艺，根据靶材材质的不同，相应的抛光工艺也会不同，根据自动抛光设备的结构，砂带与靶材溅射面接触，通过选择不同的砂带，根据其磨料粒度的不同选择多道抛光工序，并依次减小粒度，由抛光粗处理过渡到抛光细处理，再到抛光精处理，以保证溅射面抛光后的平整性，得到符合溅射要求的靶材；所述抛光工艺自动化进行，稳定性好，减少了人工操作，提高生产效率，并提高靶材合格率。

以下作为本发明优选的技术方案，但不作为本发明提供的技术方案的限制，通过以下技术方案，可以更好地达到和实现本发明的技术目的和有益效果。