[发明专利]一种磁传感器阵列校准方法有效

专利信息
申请号: 202110463248.1 申请日: 2021-04-23
公开(公告)号: CN113514789B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 于向前;宗秋刚;肖池阶;刘斯;曲亚楠;陈鸿飞;邹鸿;施伟红;王永福;陈傲;高爽;邵思霈 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G01R35/00 分类号: G01R35/00
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 高园园
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 传感器 阵列 校准 方法
【权利要求书】:

1.一种磁传感器阵列校准方法,其特征在于,包括以下步骤:

构建磁传感器阵列的正交坐标系;

确定标准磁场的三分量的实际值与所述磁传感器的输出值之间的函数关系:

记录所述磁传感器阵列中任意一个磁传感器测得的多组磁场三分量的输出值

根据记录的多组所述磁场三分量的输出值以及公式(1)获得所述磁传感器三个传感器轴方向上磁场分量的零点偏移Bx0,By0,Bz0以及转换系数k11,k12,k13,k21,k22,k23,k31,k32和k33

确定所述转换系数与所述磁传感器的角度偏差之间的函数关系:

根据所述公式(2)以及所述转换系数获得所述磁传感器的三个传感器轴的角度偏差α1,α2,α3,β1,β2,β3,γ1,γ2,γ3

重复以上步骤,直至所述传感器阵列中的所有磁传感器均被校准;

其中,Bx,By,Bz分别为所述标准磁场在所述正交坐标系的三个轴方向上的三个磁场分量的实际值;分别为所述磁传感器的在三个传感器轴方向测量的所述标准磁场的三个磁场分量的输出值,α1,α2,α3为所述磁传感器的第一传感器轴与所述磁传感器阵列的正交坐标系的三个轴之间的角度偏差,β1,β2,β3为所述磁传感器的第二传感器轴与所述磁传感器阵列的正交坐标系的三个轴之间的角度偏差,γ1,γ2,γ3为所述磁传感器的第三传感器轴与所述磁传感器阵列的正交坐标系的三个轴之间的角度偏差;a,b,c分别为所述磁传感器的每一个传感器轴对应的比例因子,并且所述比例因子是已知的。

2.根据权利要求1所述的磁传感器阵列校准方法,其特征在于,所述磁传感器阵列的正交坐标系的三个轴之间的角度偏差满足如下关系式:

在根据所述公式(2)以及所述转换系数获得所述磁传感器的三个传感器轴的角度偏差时,关系式(3)作为约束条件。

3.根据权利要求1所述的磁传感器阵列校准方法,其特征在于,记录所述磁传感器阵列中任意一个磁传感器测得的多组标准磁场的三分量的输出值包括,记录磁传感器测得的至少四组标准磁场的三分量的输出值。

4.根据权利要求1所述的磁传感器阵列校准方法,其特征在于,所述磁传感器阵列包括至少两个磁传感器。

5.根据权利要求1所述的磁传感器阵列校准方法,其特征在于,还包括以下步骤:

采用磁铁作为激励源产生所述标准磁场;

改变所述磁铁的位置获得可变的磁场。

6.根据权利要求1所述的磁传感器阵列校准方法,其特征在于,还包括:采用椭球拟合的方法获得所述磁传感器的每一个传感器轴对应的比例因子a,b,c。

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