[发明专利]高强制造致冷件所用的材料、致冷件晶粒和致冷件

说明书

本发明涉及致冷件生产原材料技术领域，名称是高强制造致冷件所用的材料、致冷件晶粒和致冷件，高强制造致冷件所用的材料，包括N型半导体材料和P型半导体材料；所述的N型半导体材料按照重量份为含有四碘化碲1～1.5、硒33～35、碲620～650、铋790～800、镁2～4、铝1～2；所述的P型半导体材料按照重量份为含有硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲620～650，锌2～4、碳1～2；致冷件晶粒，是用上述材料经过熔化、拉晶、线切割而制成。所述的致冷件是用上述的晶粒制成的；具有致冷效果更好、不易碎裂、延长使用寿命的优点。

技术领域

本发明涉及致冷件生产原材料技术领域，具体地说是制造致冷件所用的材料、致冷件晶粒和致冷件。

背景技术

在专利号是“201110333136.0”，公开号是“102410657A”名称是“一种半导体致冷器件”的文献中，公开了一种制造半导体致冷件所用的半导体材料，它的N型半导体晶体成分重量份数为：四碘化碲1～1.5、硒30～33、碲670～680、铋790～800， P型半导体晶体成分重量份数为：硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲680～690；这样的半导体材料应用在致冷件上具有致冷效果好的优点。

所述的致冷件包括位于上下两面的两块陶瓷绝缘板，这两块陶瓷绝缘板分别是上面的上瓷板和下面的下瓷板，上瓷板下面焊接多个导电片，这些导电片是上导电片；所述的下瓷板上面焊接多个导电片，这些导电片是下导电片，还有多个晶粒焊接在上导电片和下导电片之间，所述的晶粒就是上述的晶体线切割而成的。

使用中，由于致冷件要承受温度的变化，特别是致冷件两侧的温度不一样，致冷件一侧温度高、一侧温度低，致冷件中的晶粒容易碎裂，影响了致冷件的使用寿命。所以，使这种晶粒应用于致冷件上具有不用碎裂、经久耐用、延长致冷件的使用寿命，是生产厂家的追求。

发明内容

本发明的目的就是针对上述缺点，提供一种致冷效果更好、不易碎裂、延长使用寿命的制造致冷件所用的材料、致冷件晶粒和致冷件。

本发明高强制造致冷件所用的材料的技术方案是这样实现的：高强制造致冷件所用的材料，包括N型半导体材料和P型半导体材料；所述的N型半导体材料按照重量份为含有四碘化碲1～1.5、硒33～35、碲620～650、铋790～800、镁2～4、铝1～2；所述的P型半导体材料按照重量份为含有硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲620～650，锌2～4、碳1～2。

较好的：所述的N型半导体材料按照重量份为含有四碘化碲1.2、硒34、碲635、铋795、镁3、铝1.5。

较好的：所述的P型半导体材料按照重量份为含有硒12、铋185、锑325、碲635，锌3、碳1.5。

较好的：所述的N型半导体材料按照重量份还含有镍1～2。

较好的：所述的P型半导体材料按照重量份还含有铬1～2。

本发明致冷件晶粒的技术方案是这样实现的：致冷件晶粒，是用上述材料经过熔化、拉晶、线切割而制成。

本发明致冷件的技术方案是这样实现的：一种致冷件，所述的致冷件包括位于上下两面的两块陶瓷绝缘板，这两块陶瓷绝缘板分别是上面的上瓷板和下面的下瓷板，上瓷板下面焊接多个导电片，这些导电片是上导电片；所述的下瓷板上面焊接多个导电片，这些导电片是下导电片，还有多个晶粒焊接在上导电片和下导电片之间，所述的晶粒就是上述的晶体线切割而成的；其特征是：所述的致冷件是用上述的晶粒制成的。

本发明的有益效果是：这样的制造致冷件所用的材料具有可以制成致冷效果更好、不易碎裂、延长使用寿命的晶粒，这样的晶粒具有可以制成致冷效果更好、不易碎裂、延长使用寿命的致冷件，这样的致冷件具有致冷效果更好、不易碎裂、延长使用寿命的优点。

具体实施方式