[发明专利]一种基于油藏芯片表征润湿性影响的评价方法

权利要求书

1.一种基于油藏芯片表征润湿性影响的评价方法，所述方法包括以下步骤：

配置驱替液的步骤，配置多种驱替液，所述多种驱替液具有大体上相同的粘度和界面张力；

配置油相液体的步骤，所述油相液体含有荧光素，所述油相液体具有与所述驱替液大体上相同的粘度；

提供油藏芯片的步骤，提供多块相同结构的油藏芯片；

清洗步骤，清洗所述多块油藏芯片；

饱和步骤，用所述油相液体饱和所述多块油藏芯片；

驱替步骤，用所述多种驱替液中的每一种分别对饱和步骤后的每一块油藏芯片进行驱替；

图像处理和分析步骤，采用图像处理软件对驱替步骤后的所述多块油藏芯片分别进行图像处理和分析，得到油相的分布以及驱替效率；

所述多种驱替液为至少五种；

五种驱替液分别为强亲水驱替液、弱亲水驱替液、中间亲水驱替液、中性驱替液和亲油驱替液；

配置驱替液的步骤包括：

配置第一溶液，所述第一溶液包括表面活性剂、有机溶剂和去离子水；

配置不同浓度的两性表面活性剂水溶液，其中所述浓度按两性表面活性剂占所述两性表面活性剂水溶液的质量百分比计算；

配置所述强亲水驱替液：将浓度为0.2wt％-0.5wt％的两性离子表面活性剂水溶液与所述第一溶液混合搅拌10分钟-30分钟，然后静置4小时-8小时得到所述强亲水驱替液，其中所述第一溶液的使用量为所述强亲水驱替液的3.0vol％-5.0vol％；

配置所述弱亲水驱替液：将浓度为0.2wt％-0.5wt％的两性离子表面活性剂水溶液与所述第一溶液混合搅拌10分钟-30分钟，然后静置4小时-8小时得到所述弱亲水驱替液，其中所述第一溶液的使用量为所述弱亲水驱替液的1.0vol％-3.0vol％、且不包括3.0vol％；

配置所述中间亲水驱替液：取浓度为0.15wt％-0.3wt％的两性离子表面活性剂水溶液，静置4小时-8小时作为所述中间亲水驱替液；

配置所述中性驱替液：取浓度为0.08wt％-0.15wt％、且不包括0.15wt％的两性离子表面活性剂水溶液，静置4小时-8小时作为所述中性驱替液；

配置所述亲油驱替液：取浓度为0.01wt％-0.08wt％、且不包括0.08wt％的两性离子表面活性剂水溶液，静置4小时-8小时作为所述亲油驱替液；

所述两性离子表面活性剂选自硫代甜菜碱12；

所述第一溶液包括：以所述第一溶液的总体积计，10vol％-20vol％表面活性剂，50vol％-70vol％有机溶剂和20vol％-30vol％去离子水，并且所述第一溶液中各成分之和为100vol％；

配置所述第一溶液包含以下步骤：

将所述表面活性剂添加到所述有机溶剂中，待充分分散溶解均匀后，将所述去离子水缓慢加入，充分搅拌，

通入惰性气体半小时以上以置换反应体系中的氧气，使得整个体系在脱氧的条件下，缓慢升温至45℃-65℃，并保持4小时-10小时，得到所述第一溶液；

所述表面活性剂选自司班、吐温、十二烷基磺酸钠、十六烷基三甲基溴化铵中的至少一种；

所述有机溶剂选自脂肪烃、溶剂油或芳烃中的至少一种；

所述油藏芯片包括优势通道和基质结构，制备所述油藏芯片包括以下步骤：

(1)选取真实油藏岩心，对所述岩心进行三维结构扫描，包括对所述优势通道和所述基质区域进行三维结构扫描；

(2)对扫描得到的所述真实油藏岩心的三维结构进行重构，提取孔径分布特征；

(3)根据得到的孔径分布特征，对所述真实油藏岩心的孔隙结构的形成及岩石颗粒的堆积形态进行分析，提取所述岩石颗粒中的主要的大颗粒的形态，建立大颗粒形态数据库；

(4)从所述大颗粒形态数据库中随机选取若干大颗粒，将选取的大颗粒随机分布并投影在油藏芯片的多孔介质区域中；

(5)将小颗粒随机生长在所述多孔介质的剩余区域中，直到生成的油藏芯片结构的孔径分布与真实岩心的孔径分布类似，得到基质结构和优势通道图片；

(6)将所述基质结构和优势通道图片导入绘图软件中，将优势通道结构与基质结构平行放置，并在所述绘图软件中在优势通道结构的两端设计进口区域、出口区域，得到油藏芯片设计图；

(7)将所述油藏芯片设计图刻蚀在基底上，并和上下游处打孔的耐热玻璃阳极键和，得到所述油藏芯片；

当所述优势通道的结构来源于人工设计的结构时，采用下述步骤替代步骤(3)-(5)对优势通道进行结构重构：将人工设计的简单阵列结构的特征孔径大小设置为与步骤(2)提取的真实优势通道区域的特征孔径大小相同，特征孔径定义为小于该特征孔径的孔隙体积占比为50％。