[发明专利]一种高集成度多波束瓦片式TR组件

说明书

本发明公开了一种高集成度多波束瓦片式TR组件，从射频公共输入端口输入的射频信号经射频控制板上的信号处理电路进行多波束信号功分、幅相调制、功率放大后，经天线输出端口实现射频信号输出；从供电与控制连接器端口输入的供电和控制信号传输到波控子板，经波控子板过渡到射频供电板进行电压转换，经电压转换后的低频信号通过毛纽扣固定板与射频控制板连通，实现供电和控制信号的传输。本发明的TR组件加入了毛纽扣固定板，可以降低装配难度和射频供电板的布线难度，使得供电和控制信号的焊盘大小、位置和分布更加自由，增加DAC芯片和射频处理芯片的集成数量，提高了多波束射频信号TR组件的集成度，具备小型化、高稳定性的特点。

技术领域

本发明涉及微波雷达技术领域，尤其是一种高集成度多波束瓦片式TR组件。

背景技术

近些年来，微波通信、雷达及制导领域得到了快速发展，相关平台及载体的应用场景也日渐复杂。在这种现实背景下，对装载的相控阵天线的功能和性能提出了更高的要求。而TR组件作为相控阵天线的核心部件，必须进一步提升小型化、高集成度和多功能等特性，以满足相控阵天线的应用需求。

而多波束工作条件下，TR组件需要实现对每个波束信号的控制，包括：功分/合成、功率放大和幅度相位调整等，同时控制接口、供电接口和元件连接等设计也更为复杂。传统多波束TR组件集成度低、生产装配难度高、成本高等问题限制了多波束TR组件的发展。

发明内容

本发明的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种高集成度多波束瓦片式TR组件，有效解决多波束瓦片式TR组件集成度低、设计难度大、装配难度大的问题。

本发明采用的技术方案如下：

一种高集成度多波束瓦片式TR组件，包括射频公共输入端口、供电与控制连接器端口、盖板、波控子板、上腔体、射频供电板、毛纽扣固定板、射频控制板和下腔体，下腔体上集成天线输出端口；盖板、波控子板、上腔体、射频供电板、毛纽扣固定板、射频控制板、下腔体逐层垂直堆叠，波控子板安装于上腔体内，盖板密封盖合上腔体；射频供电板、毛纽扣固定板、射频控制板均设置于下腔体内，上腔体和下腔体密封盖合；

射频公共输入端口用于射频信号输入，从射频公共输入端口输入的射频信号经射频控制板上的信号处理电路进行多波束信号功分、幅相调制、功率放大后，经天线输出端口实现射频信号输出；

供电与控制连接器端口用于供电和控制信号输入，从供电与控制连接器端口输入的供电和控制信号传输到波控子板，经波控子板过渡到射频供电板进行电压转换，经电压转换后的低频信号通过毛纽扣固定板与射频控制板连通，实现供电和控制信号的传输。

进一步的，射频公共输入端口集成于盖板上，并逐层穿过波控子板、上腔体、射频供电板、毛纽扣固定板，连接于射频控制板上；供电与控制连接器端口集成于波控子板上，供电与控制连接器端口通过介质接收供电和控制信号，该介质穿过盖板。

进一步的，信号处理电路包括射频芯片控制及供电线路、多波束功分网络、多波束幅相控制芯片以及功率放大器芯片，射频芯片控制及供电线路用于接收供电和控制信号，多波束功分网络用于对射频信号功分，多波束幅相控制芯片对射频信号进行幅相调制，功率放大器芯片用于对射频信号进行功率放大；射频芯片控制及供电线路分别连接多波束幅相控制芯片和功率放大器芯片，多波束功分网络、多波束幅相控制芯片和功率放大器芯片间通过金丝键合。

进一步的，毛纽扣固定板上集成多个毛纽扣，射频供电板通过毛纽扣固定板上集成的毛纽扣实现与射频控制板间低频信号的连通。

进一步的，毛纽扣固定板上靠近射频控制板的一侧设置有多个槽，槽内设置吸波材料。

进一步的，波控子板固定于上腔体内。

进一步的，射频供电板、毛纽扣固定板和射频控制板均固定于下腔体内。