[发明专利]一种集成三维凸起顶层结构的超构表面有效

专利信息
申请号: 202110447675.0 申请日: 2021-04-25
公开(公告)号: CN113193376B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 陈国斌;李修函;王宝龙;许巍;杨甲一;刘斯达 申请(专利权)人: 北京交通大学
主分类号: H01Q15/14 分类号: H01Q15/14
代理公司: 北京市商泰律师事务所 11255 代理人: 毛燕生
地址: 100044 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 三维 凸起 顶层 结构 表面
【权利要求书】:

1.一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于,三维凸起顶层结构为金属半球体的超表面结构单元,超表面结构单元包括依次设置的金属背电极、介质层以及三维金属半球结构层,介质层为二维介质材料层,三维金属半球结构层包含金属半球体,金属半球体为弧形三维的实心金属半球体或者空心金属半球体,二维介质材料层厚度为15-30,阵列包括两种相位编码单元,两种相位编码单元的半球体半径分别为35.7和22.8,0.95-0.98THz频段内两种相位编码单元相位差能够保持180度,能够编码为0和1进行阵列编码,通过阵列编码实现对电磁波的调控。

2.根据权利要求1所述的一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于超表面结构单元为亚波长阵列单元结构。

3.根据权利要求1所述的一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于三维金属半球结构层由金或者铜金属材料制成。

4.根据权利要求3所述的一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于三维金属半球结构层的厚度为0.2-0.3。

5.根据权利要求1所述的一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于金属背电极由金属材料制成,金属背电极结构的厚度为0.2-0.3。

6.根据权利要求5所述的一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于金属材料为金、铜、铂或者铝。

7.根据权利要求2所述的一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于二维介质材料层由二氧化硅、硅、聚酰亚胺或硅橡胶制成,金属半球体为空心金属半球结构的厚度为0.2-0.3。

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