[发明专利]一种集成三维凸起顶层结构的超构表面有效
申请号: | 202110447675.0 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113193376B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 陈国斌;李修函;王宝龙;许巍;杨甲一;刘斯达 | 申请(专利权)人: | 北京交通大学 |
主分类号: | H01Q15/14 | 分类号: | H01Q15/14 |
代理公司: | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人: | 毛燕生 |
地址: | 100044 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 三维 凸起 顶层 结构 表面 | ||
1.一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于,三维凸起顶层结构为金属半球体的超表面结构单元,超表面结构单元包括依次设置的金属背电极、介质层以及三维金属半球结构层,介质层为二维介质材料层,三维金属半球结构层包含金属半球体,金属半球体为弧形三维的实心金属半球体或者空心金属半球体,二维介质材料层厚度为15-30,阵列包括两种相位编码单元,两种相位编码单元的半球体半径分别为35.7和22.8,0.95-0.98THz频段内两种相位编码单元相位差能够保持180度,能够编码为0和1进行阵列编码,通过阵列编码实现对电磁波的调控。
2.根据权利要求1所述的一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于超表面结构单元为亚波长阵列单元结构。
3.根据权利要求1所述的一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于三维金属半球结构层由金或者铜金属材料制成。
4.根据权利要求3所述的一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于三维金属半球结构层的厚度为0.2-0.3。
5.根据权利要求1所述的一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于金属背电极由金属材料制成,金属背电极结构的厚度为0.2-0.3。
6.根据权利要求5所述的一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于金属材料为金、铜、铂或者铝。
7.根据权利要求2所述的一种集成三维凸起顶层结构的超构表面阵列,其特征在于二维介质材料层由二氧化硅、硅、聚酰亚胺或硅橡胶制成,金属半球体为空心金属半球结构的厚度为0.2-0.3。
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