[发明专利]一种基于SISL结构的高增益5G缝隙耦合太阳能天线有效
申请号: | 202110446936.7 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113346218B | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 闫宁宁;季传胜;罗宇;马凯学 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01Q1/22 | 分类号: | H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/44;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q19/10;H01L31/0392;H01L31/02 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 韩新城 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 sisl 结构 增益 缝隙 耦合 太阳能 天线 | ||
1.基于SISL结构的高增益5G缝隙耦合太阳能天线,其特征在于,包括自上而下的第一层至第五层双面印刷的覆铜介质板;每层覆铜介质板由上下两面金属层及上下两面金属层之间填充介质组成;第二层和第四层覆铜介质板以及第一层覆铜介质板的下金属层镂空切除处理形成镂空腔,第三层的覆铜介质板的上层金属层切割形成耦合缝隙,第三层覆铜介质板的下表面设置有与所述耦合缝隙配合的馈线以使得太阳能天线的直流电与交流电信号进行隔离,第一层覆铜介质板的上层金属层局部切除金属层露出由外围的上层金属层包围形成的介质基板区,该介质基板区上设置辐射贴片,所述辐射贴片上表面设置非晶硅太阳能电池,作为所述非晶硅太阳能电池的金属衬底的所述辐射贴片两侧连接金属条与上层金属层的四周的金属地连接以接地,成为非晶硅太阳能电池的负极;所述耦合缝隙为H形状的耦合缝隙,所述馈线直线状布置在H形状的耦合缝隙两个相互平行的缝隙之间,并与垂直连接两个相互平行的缝隙的直线缝隙相互垂直。
2.根据权利要求1所述基于SISL结构的高增益5G缝隙耦合太阳能天线,其特征在于,第五层覆铜介质板上金属层作为反射板。
3.根据权利要求1所述基于SISL结构的高增益5G缝隙耦合太阳能天线,其特征在于,每层覆铜介质板上形成连接用的铆钉孔。
4.根据权利要求1所述基于SISL结构的高增益5G缝隙耦合太阳能天线,其特征在于,每层覆铜介质板上近四周对应的位置均设置有金属通孔以接地。
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