[发明专利]锥形半导体激光器分离电极热沉

说明书

本公开提供一种锥形半导体激光器分离电极热沉，包括：散热基底，设置有凹槽，能够为设置于所述凹槽底部的半导体激光器芯片进行散热；绝缘体组，包括两个绝缘体，对应设置于所述半导体激光器芯片两侧的凹槽底部；以及分离电极，用于为所述半导体激光器芯片供电，包括位于每个所述绝缘体表面且通过绝缘凹槽相隔设置的MO电极单元和PA电极单元。改善了锥形激光器高功率输出时，由于所加在脊形区电流过大导致的模式跳变，输出功率曲线扭曲的现象，提升了锥形半导体激光器高功率输出时的光束质量。

技术领域

本公开涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及一种锥形半导体激光器分离电极热沉。

背景技术

锥形半导体激光器具有输出功率高、光束质量好的优点，被广泛使用在工业生产、激光通信、激光医疗、激光显示、自动控制以及军事国防等方面。随着应用领域的不端扩展，对锥形半导体激光器输出性能提出了更高的要求。目前常见的锥形半导体激光器仍然是电极共用，然而电极共用不能任意控制加在脊形区(MO)和锥形区(PA)上的电流大小，脊形区和锥形区的电流大小按其电阻比进行分配的，因此电极共用的锥形半导体激光器在大电流高功率输出时，常会由于脊形区电流太大导致输出模式不稳定，输出功率曲线容易发生扭曲。

从上述内容可知，实现脊形区和锥形区的分别驱动，能任意控制加在脊形区和锥形区的电流比例，有利于在高功率输出时，稳定输出模式，使得输出功率曲线变得更光滑。

发明内容

(一)要解决的技术问题

基于上述问题，本公开提供了一种锥形半导体激光器分离电极热沉，以缓解现有技术中芯片散热等技术问题。

(二)技术方案

本公开提供了一种锥形半导体激光器分离电极热沉，包括：

散热基底，设置有凹槽，能够为设置于所述凹槽底部的半导体激光器芯片进行散热；

绝缘体组，包括两个绝缘体，对应设置于所述半导体激光器芯片两侧的凹槽底部；以及

分离电极，用于为所述半导体激光器芯片供电，包括位于每个所述绝缘体表面且通过绝缘凹槽相隔设置的MO电极单元和PA电极单元。

在本公开实施例中，所述分离电极包括：第一长方体电极和第二长方体电极；

所述第一长方体电极与所述第二长方体电极各自的一侧与所述绝缘体连接，各自的另一侧的表面进行了镀金处理，相对应形成第一导电侧与第二导电侧。

在本公开实施例中，所述第一导电侧设置有将其分为两部分的第一绝缘凹槽，并形成靠近所述半导体激光器芯片的第一内侧电极与远离所述半导体激光器芯片的第一外侧电极；

所述第二导电侧设置有将其分为两部分的第二绝缘凹槽，并形成靠近所述半导体激光器芯片的第二内侧电极与远离所述半导体激光器芯片的第二外侧电极；

所述第一绝缘凹槽与所述第二绝缘凹槽相对于所述半导体激光器芯片为对称结构；

所述第一内侧电极与所述第二内侧电极形成第一电极组，所述第一电极组用于对锥形半导体激光器锥形区施加电流；

所述第一外侧电极与所述第二外侧电极形成第二电极组，所述第二电极组用于对锥形半导体激光器脊形波导区施加电流。

在本公开实施例中，所述第一内侧电极、所述第一外侧电极、所述第二内侧电极及所述第二外侧电极均在其导电侧设置有电极柱；

各所述电极柱的一端与相对应的电极导电侧连接，各所述电极柱的另一端进行中空处理，形成各自的电极柱中空端，用于连接外部电源。

在本公开实施例中，所述的锥形半导体激光器分离电极热沉，还包括：