[发明专利]一种无铅准二维锡基钙钛矿薄膜及其制备的光电探测器

权利要求书

1.一种制备无铅准二维锡基钙钛矿BA₂FA_n-1Sn_nI_3n+1薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将BAI、SnI₂和SnF₂加入DMSO中，室温搅拌4~6h，获得BA₂SnI₄ (n=1)钙钛矿前驱体溶液；或将BAI、FAI、SnI₂和SnF₂加入DMSO中，室温搅拌4~6h，获得BA₂FASn₂I₇ (n=2)钙钛矿前驱体溶液；

（2）将锡粉加入BA₂SnI₄或BA₂FASn₂I₇钙钛矿前驱体溶液，并在35~45℃热板上搅拌3~5h，而后用滤膜过滤前驱体溶液；

（3）清洗基底并干燥，将步骤（2）前驱体溶液滴在基底上，旋涂，然后退火获得BA₂FA_n-1Sn_nI_3n+1薄膜，n=1或2。

2.根据权利要求1所述制备无铅准二维锡基钙钛矿BA₂FA_n-1Sn_nI_3n+1薄膜的方法，其特征在于，BA₂SnI₄ (n=1)钙钛矿前驱体溶液制备中，BAI、SnI₂和SnF₂摩尔比为20:10:1，每1 mLDMSO需要加入100 mg锡粉；BA₂FASn₂I₇ (n=2)钙钛矿前驱体溶液制备中，BAI、FAI、SnI₂和SnF₂摩尔比为20:10:20:1，每1 mL DMSO需要加入100mg锡粉。

3.根据权利要求1所述制备无铅准二维锡基钙钛矿BA₂FA_n-1Sn_nI_3n+1薄膜的方法，其特征在于，所述滤膜的孔径为0.22 μm。

4.根据权利要求1所述制备无铅准二维锡基钙钛矿BA₂FA_n-1Sn_nI_3n+1薄膜的方法，其特征在于，所述退火是指100℃退火5分钟。

5.权利要求1至4任一所述的方法制得的无铅准二维锡基钙钛矿BA₂FA_n-1Sn_nI_3n+1薄膜。

6.一种以权利要求5所述钙钛矿BA₂FA_n-1Sn_nI_3n+1薄膜为光吸收层的钙钛矿光电探测器的制备方法，其特征在于，过程如下：

（1）将防腐蚀胶带粘贴在ITO玻璃基底上，刻蚀出有通道的ITO玻璃基板电极；

（2）将刻蚀后的ITO玻璃清洗干净，用氮气吹干后，用紫外臭氧照射装置照射10~20分钟；

（3）制备钙钛矿吸收层，将添加有锡粉的过滤后的前驱体溶液滴加在刻蚀后的ITO基底上，旋涂，退火，制备BA₂FA_n-1Sn_nI_3n+1薄膜，获得钙钛矿吸收层；

（4）将载玻片覆盖在BA₂FA_n-1Sn_nI_3n+1薄膜上，底边留出部分电极，边缘用适量环氧树脂胶进行封装，即得。

7.权利要求6制备方法制得的钙钛矿光电探测器。