[发明专利]一种电流镜电路在审
申请号: | 202110432677.2 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113110692A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 李丹;李成;谭琛;耿莉 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 高博 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电流 电路 | ||
1.一种电流镜电路,其特征在于,包括输入级和输出级,输入级和输出级均包括一个共源极的MOS管和一个共基级的BJT晶体管,输入级用于接收输入电流Iin,输出级用于提供输出电流Iout;在输入级和输出级之间设置有源级跟随器,源级跟随器用于接收第一电流源I1并为输入级和输出级的MOS管提供偏置电压。
2.根据权利要求1所述的电流镜电路,其特征在于,输入级包括第一双极型晶体管Q1;第一双极型晶体管Q1的发射极连接第一MOS管MN1的漏极;第一双极型晶体管Q1的集电极分两路,一路连接输入电流Iin,另一路经第一节点n1与源级跟随器连接;第一双极型晶体管Q1基极与输出级连接。
3.根据权利要求2所述的电流镜电路,其特征在于,第一MOS管MN1的源极连接到接地端;第一MOS管MN1的栅极经第二节点n2分别与源级跟随器、输出级和第一电流源I1的一端连接,第一电流源I1的另一端连接接地端;。
4.根据权利要求1所述的电流镜电路,其特征在于,源极跟随器包括第三MOS管MN3,第三MOS管MN3的源极经第二节点n2分别与第一电流源I1的一端,输入级以及输出级连接,第一电流源I1的另一端连接到接地端;第三MOS管MN3的栅极经第一节点n1与输入级连接;第三MOS管MN3的漏极耦合到电源VDD。
5.根据权利要求1所述的电流镜电路,其特征在于,输出级包括第二双极型晶体管Q2,第二双极型晶体管Q2的集电极耦合输出电流Iout;第二双极型晶体管Q2的基极与输入级连接;第二双极型晶体管Q2的发射极与第二MOS管MN2的漏极连接。
6.根据权利要求5所述的电流镜电路,其特征在于,第二MOS管MN2的源极连接到接地端;第二MOS管MN2的栅极经第二节点n2分别与输入级、源极跟随器和第一电流源I1的一端连接,第一电流源I1的另一端连接到接地端。
7.根据权利要求5所述的电流镜电路,其特征在于,第二双极型晶体管Q2的集电极电容小于第二MOS管MN2的漏极电容。
8.根据权利要求1所述的电流镜电路,其特征在于,电流镜中输出电流与输入电流的比值为输出级MOS管的宽长比与输入级MOS管的比值。
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