[发明专利]体声波滤波器及其形成方法

权利要求书

1.一种体声波滤波器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成支撑结构，包括：在所述衬底上形成介质层，并在所述介质层中形成环状沟槽，所述环状沟槽环绕在内的介质材料构成牺牲部；以及，在所述介质层上形成支撑材料层，所述支撑材料层填充所述环状沟槽以构成支撑柱，所述支撑材料层覆盖所述介质层顶表面的部分构成支撑层，所述支撑层横向延伸至所述牺牲部上；

在所述支撑结构上依次形成下电极、压电层和上电极，所述下电极位于所述牺牲部的正上方，并且所述下电极的至少端部搭载在所述支撑层上，所述压电层至少覆盖所述下电极，以及所述上电极形成在所述压电层上；以及，去除所述牺牲部，以形成空腔在所述下电极的下方。

2.如权利要求1所述的体声波滤波器的形成方法，其特征在于，所述支撑层完全覆盖由所述支撑柱环绕在内的牺牲部的顶表面，并使所述下电极的底表面完全搭载在所述支撑层上。

3.如权利要求1所述的体声波滤波器的形成方法，其特征在于，所述支撑层由所述牺牲部之外延伸至所述牺牲部的边缘上以形成承载部，并使所述下电极的端部搭载在所述支撑层的所述承载部上。

4.如权利要求3所述的体声波滤波器的形成方法，其特征在于，所述支撑结构的形成方法包括：在形成所述支撑材料层后，去除所述支撑材料层位于所述牺牲部上方的部分，并保留所述支撑材料层中位于所述牺牲部边缘的部分以构成所述承载部；

以及，在形成所述下电极时，所述下电极覆盖暴露出的牺牲层，并使所述下电极的端部搭载在所述支撑层的所述承载部上。

5.如权利要求1所述的体声波滤波器的形成方法，其特征在于，所述下电极在衬底上的投影完全位于所述空腔在衬底上的投影范围内。

6.如权利要求1所述的体声波滤波器的形成方法，其特征在于，所述支撑材料层的形成方法包括：执行薄膜沉积工艺，所述薄膜沉积工艺的制程温度为300℃-1500℃。

7.如权利要求1所述的体声波滤波器的形成方法，其特征在于，所述牺牲部的去除方法包括：形成贯穿所述压电层和所述支撑层的释放孔以暴露出所述牺牲部，并通过所述释放孔去除所述牺牲部以释放出所述空腔。

8.一种体声波滤波器，其特征在于，包括：

衬底；

支撑结构，包括介质层、支撑柱和支撑层，所述介质层和所述支撑柱同层设置在所述衬底上，所述支撑柱环绕出空腔，并由所述支撑柱间隔所述空腔和所述介质层，以及所述支撑层位于所述介质层上并且还横向延伸至所述空腔的上方；

下电极，位于所述空腔的正上方，并且所述下电极的至少端部搭载在所述支撑层上；

压电层，至少覆盖所述下电极层；以及，

上电极，位于所述压电层上，并和所述下电极具有空间重叠的部分。

9.如权利要求8所述的体声波滤波器，其特征在于，所述支撑层封盖所述空腔的顶部开口，所述下电极的底表面完全搭载在所述支撑层上。

10.如权利要求8所述的体声波滤波器，其特征在于，所述支撑层由空腔外横向延伸至空腔内的边缘位置以构成承载部，所述下电极的端部搭载在所述支撑层的所述承载部上。

11.如权利要求8所述的体声波滤波器，其特征在于，所述下电极在在衬底上的投影完全位于所述空腔在衬底上的投影范围内。