[发明专利]一种高导热致密硅砖及其制备方法

权利要求书

1.一种高导热致密硅砖，其特征在于，可选自包括以质量分数计的如下组分：50％～60％的结晶硅砂、5％～15％的熟硅砂、5％～15％的高纯石英玻璃、15％～25％的结晶硅石粉、3％～6％的硅微粉、2％～5％的硅基质、外加0％～0.5％的促烧结剂、3.2％～4％的矿化剂、0.5％～1％的粘结剂、1％～2％的塑化剂。

2.如权利要求1所述的硅砖，其特征在于，所述硅基质包括金属硅、碳化硅或氮化硅且所述金属硅、碳化硅或氮化硅的质量纯度不低于98％。

3.如权利要求1所述的硅砖，其特征在于，所述3.2％～4％的矿化剂包括2％～4％的固废粉、1％～2％的氯化钙和0.2％～0.6％的铁鳞粉。

4.如权利要求3所述的硅砖，其特征在于，所述固废粉粒度小于等于0.038mm，所述铁鳞粉粒度小于等于0.088mm且Fe₃O₄含量不低于90％。

5.如权利要求1所述的硅砖，其特征在于，所述促烧结剂包括硼酸，所述硼酸的粒度小于等于0.09mm。

6.如权利要求1所述的硅砖，其特征在于，所述粘结剂包括膨润土，所述膨润土的粒度小于等于0.045mm。

7.如权利要求1所述的硅砖，其特征在于，所述塑化剂包括木质素。

8.如权利要求1至7任一项所述的硅砖，其特征在于，所述结晶硅砂粒度小于等于2.5mm且SiO₂含量不低于98.5％，所述熟硅砂粒度小于等于1mm且SiO₂含量不低于94.5％，所述高纯石英玻璃粒度小于等于3mm且SiO₂含量不低于99％，所述结晶硅石粉粒度小于等于0.074mm，所述硅微粉粒度小于等于0.002mm且SiO₂含量不低于96％，所述硅基质粒度小于等于0.074mm。

9.如权利要求8所述的硅砖，其特征在于，所述硅砖应用于焦炉或热风炉。

10.一种如权利要求1至9任一项所述的高导热致密硅砖的制备方法，其特征在于，包括原料混合、压制成型、干燥、烧结、降温冷却的工艺过程，所述干燥工艺温度区间为80～120℃，所述烧结工艺为在1420～1440℃的温度区间内保温20～25h。