[发明专利]电源控制装置、驱动模块及开关电源装置在审
申请号: | 202110404931.8 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN113765340A | 公开(公告)日: | 2021-12-07 |
发明(设计)人: | 赤穂直史 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088;H02M3/158 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 龚诗靖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 控制 装置 驱动 模块 开关电源 | ||
1.一种电源控制装置,与驱动输出晶体管及同步整流晶体管的导通/断开的驱动模块一起使用,且
具有:
控制端子,用来与所述驱动模块间输入输出控制信号;
使能输出端子,用来将使能信号输出到所述驱动模块;
控制电路;及
输入输出电路,在使所述输出晶体管为导通状态,使所述同步整流晶体管为断开状态时,使所述控制信号成为第1逻辑电平,在使所述输出晶体管为断开状态,使所述同步整流晶体管为导通状态时,使所述控制信号成为第2逻辑电平,能够根据来自所述控制电路的指令成为输入待机状态;且
所述控制电路在所述输入输出电路为所述输入待机状态时,将用来启动所述驱动模块的电平的使能信号传送到所述驱动模块,确认所述控制信号是否为既非所述第1逻辑电平又非所述第2逻辑电平的第3逻辑电平。
2.根据权利要求1所述的电源控制装置,其中所述使能信号能够成为L(低)电平、H(高)电平、所述L电平与所述H电平间的M电平的任一个,
用来启动所述驱动模块的电平为所述M电平。
3.根据权利要求1或2所述的电源控制装置,其中所述输入输出电路为所述输入待机状态且所述使能信号为表示禁止的电平时,所述控制电路确认所述控制信号成为所述第1逻辑电平或所述第2逻辑电平后,
所述控制电路将用来启动所述驱动模块的电平的使能信号传送到所述驱动模块。
4.根据权利要求3所述的电源控制装置,其中所述控制端子为多个,
所述输入输出电路为所述输入待机状态且所述使能信号为表示禁止的电平时,所述控制电路确认所述控制信号的电平的组合是否与允许的组合一致。
5.根据权利要求4所述的电源控制装置,其中能够将所述第3逻辑电平的电压的施加端连接在不用于与所述驱动模块连接的所述控制端子。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电源控制装置,其中所述使能输出端子为多个,
所述控制端子为多个。
7.一种驱动模块,驱动输出晶体管及同步整流晶体管的导通/断开,且
以集成为单一封装的方式具有:
驱动逻辑电路,在控制信号为第1逻辑电平时,使所述输出晶体管为导通状态,使所述同步整流晶体管为断开状态,在所述控制信号为第2逻辑电平时,使所述输出晶体管为断开状态,使所述同步整流晶体管为导通状态;
内部电压产生部,产生内部电压,利用使能信号启动;
上电复位部,基于所述内部电压进行所述驱动逻辑电路的复位解除;及
逻辑电平切换电路,在复位解除时根据来自所述驱动逻辑电路的指令,将所述控制信号切换为既非所述第1逻辑电平又非所述第2逻辑电平的第3逻辑电平。
8.根据权利要求7所述的驱动模块,其中
所述逻辑电平切换电路具有:
第1P通道型MOS晶体管,具有基于所述使能信号驱动的栅极、及连接着电源电压的施加端的源极;
电阻,具有与所述第1P通道型MOS晶体管的漏极连接的第1端;
第2P通道型MOS晶体管,具有与所述电阻的第2端连接的源极、连接着接地电压的施加端的漏极、及由所述内部电压驱动的栅极;
N通道型MOS晶体管,具有连接在将所述电阻的第2端与所述第2P通道型MOS晶体管的源极连接的节点的栅极、及连接在所述控制信号的施加端的源极;及
第3P通道型MOS晶体管,具有与所述电源电压的施加端连接的源极、与所述N通道型MOS晶体管的漏极连接的漏极、及被施加从所述驱动逻辑电路输出的栅极信号的栅极。
9.根据权利要求7或8所述的驱动模块,其还具有逻辑电平固定电路,该逻辑电平固定电路在所述使能信号表示禁止时,将所述控制信号固定为各型号的逻辑电平。
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