[发明专利]功率放大器电路与电子设备

说明书

本发明提供了一种功率放大器电路与电子设备，包括功率管、主偏置单元与辅偏置单元；所述主偏置单元分别接入供电电压端与参考电压端，所述主偏置单元还连接于所述功率管的控制端与所述功率管的第一端之间，用于向所述功率管的控制端与所述功率管的第一端提供第一偏置电压；所述功率管的第一端直接或间接连接所述供电电压端，所述功率管的第二端接地；所述辅偏置单元分别连接所述供电电压端与所述参考电压端，所述辅偏置单元还连接于所述功率管的控制端与所述功率管的第一端之间，用于在所述辅偏置单元所处的当前温度小于阈值温度时，向所述功率管提供第二偏置电压。

技术领域

本发明涉及功率放大器领域，尤其涉及一种功率放大器电路与电子设备。

背景技术

射频功率放大器通常采用异质结双极晶体管(HBT)、互补式金属氧化物半导体晶体管(CMOS)、高电子迁移率晶体管HEMT)等作为放大晶体管，称为功率管。随着5G、wifi6等新一代通讯标准的广泛应用，对射频功率放大器线性度要求也越来越高。

现有技术中，可采用线性功率放大器满足目前市场对射频功率放大器的线性度要求，实际应用中，一般会采用在信号处于发射模式时，开启功率放大器，在信号未处于发射模式时，关闭功率放大器的工作模式，因而，线性功率放大器在实际应用场景中可能需要不断的开启、关闭。在部分应用场景中，线性功率放大器大部分时间是关闭的，少部分时间需要开启。

当线性功率放大器关闭一段时间再开启时，由于在开启前线性功率放大器基本上已经处于冷却状态，开启时需要一段时间才能进入热稳定状态，这段时间内会使线性功率放大器的增益发生变化，影响线性度。

可见，现有技术存在功率放大器由于温度变化(例如进入热稳定状态较慢)导致的非线性的问题。

发明内容

本发明提供一种功率放大器电路与电子设备，以解决由于温度变化(例如进入热稳定状态较慢)导致的非线性的问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种功率放大器电路，包括功率管、主偏置单元与辅偏置单元；

所述主偏置单元分别接入供电电压端与参考电压端，所述主偏置单元还连接于所述功率管的控制端与所述功率管的第一端之间，所述主偏置单元用于向所述功率管的控制端与所述功率管的第一端提供第一偏置电压；所述功率管的第一端直接或间接连接所述供电电压端，所述功率管的第二端接地；

所述辅偏置单元分别连接所述供电电压端与所述参考电压端，所述辅偏置单元还连接于所述功率管的控制端与所述功率管的第一端之间，所述辅偏置单元用于在所述辅偏置单元所处的当前温度小于阈值温度时，向所述功率管提供第二偏置电压。

可选的，所述辅偏置单元包括温度响应模块、辅偏置第一放大器与辅偏置第二放大器、第一电阻、第二电阻与第三电阻；

所述第一电阻的第一端连接所述参考电压端，所述第一电阻的第二端连接所述温度响应模块的第一端，所述温度响应模块的第二端连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端接地；

所述辅偏置第一放大器的控制端连接于所述温度响应模块的第二端与所述第二电阻的第一端之间，所述辅偏置第一放大器的第一端连接于所述辅偏置第二放大器的控制端与所述第三电阻的第一端之间，所述第三电阻的第二端连接所述参考电压端，所述辅偏置第一放大器的第二端接地，所述辅偏置第二放大器的第一端连接所述供电电压端，所述辅偏置第二放大器的控制端通过所述第三电阻连接所述参考电压端，所述辅偏置第二放大器的第一端直接或间接连接所述功率管的第一端，所述辅偏置第二放大器的第二端直接或间接连接所述功率管的控制端；

所述功率管的控制端接入射频信号；

所述温度响应模块用于：响应于所述当前温度的升高，降低所述温度响应模块两端的压降，以使得：所述辅偏置第一放大器的控制端与所述辅偏置第一放大器的第二端间的电压变大；