[发明专利]功率放大器电路与电子设备在审

专利信息
申请号: 202110402685.2 申请日: 2021-04-14
公开(公告)号: CN113114135A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 柯庆福;钟林;孙凯;郑新年 申请(专利权)人: 晋江三伍微电子有限公司
主分类号: H03F3/20 分类号: H03F3/20
代理公司: 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 代理人: 周冬文
地址: 362200 福建省泉州市晋江市罗山*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 功率放大器 电路 电子设备
【权利要求书】:

1.一种功率放大器电路,其特征在于,包括功率管、主偏置单元与辅偏置单元;

所述主偏置单元分别接入供电电压端与参考电压端,所述主偏置单元还连接于所述功率管的控制端与所述功率管的第一端之间,所述主偏置单元用于向所述功率管的控制端与所述功率管的第一端提供第一偏置电压;所述功率管的第一端直接或间接连接所述供电电压端,所述功率管的第二端接地;

所述辅偏置单元分别连接所述供电电压端与所述参考电压端,所述辅偏置单元还连接于所述功率管的控制端与所述功率管的第一端之间,所述辅偏置单元用于在所述辅偏置单元所处的当前温度小于阈值温度时,向所述功率管提供第二偏置电压。

2.根据权利要求1所述的功率放大器电路,其特征在于,所述辅偏置单元包括温度响应模块、辅偏置第一放大器与辅偏置第二放大器、第一电阻、第二电阻与第三电阻;

所述第一电阻的第一端连接所述参考电压端,所述第一电阻的第二端连接所述温度响应模块的第一端,所述温度响应模块的第二端连接所述第二电阻的第一端,所述第二电阻的第二端接地;

所述辅偏置第一放大器的控制端连接于所述温度响应模块的第二端与所述第二电阻的第一端之间,所述辅偏置第一放大器的第一端连接于所述辅偏置第二放大器的控制端与所述第三电阻的第一端之间,所述第三电阻的第二端连接所述参考电压端,所述辅偏置第一放大器的第二端接地,所述辅偏置第二放大器的第一端连接所述供电电压端,所述辅偏置第二放大器的控制端通过所述第三电阻连接所述参考电压端,所述辅偏置第二放大器的第一端直接或间接连接所述功率管的第一端,所述辅偏置第二放大器的第二端直接或间接连接所述功率管的控制端;

所述功率管的控制端接入射频信号;

所述温度响应模块用于:响应于所述当前温度的升高,降低所述温度响应模块两端的压降,以使得:所述辅偏置第一放大器的控制端与所述辅偏置第一放大器的第二端间的电压变大;

其中:当所述当前温度大于所述阈值温度时,所述辅偏置第一放大器的控制端与所述辅偏置第一放大器的第二端间的电压高于阈值电压,所述辅偏置第一放大器导通,所述辅偏置第二放大器关断;

当所述当前温度小于所述阈值温度时,所述辅偏置第一放大器的控制端与所述辅偏置第一放大器的第二端间的电压低于所述阈值电压,所述辅偏置第一放大器关断,所述辅偏置第二放大器导通,以向所述功率管提供第二偏置电压。

3.根据权利要求2所述的功率放大器电路,其特征在于,所述温度响应模块包括温度响应三极管;

所述温度响应三极管的集电极连接所述第一电阻的第二端,所述温度响应三极管的发射极连接所述第二电阻的第一端;

若所述温度响应三极管为NPN型三极管,则:所述温度响应三极管的基极还连接所述温度响应三极管的集电极;

若所述温度响应三极管为PNP型三极管,则:所述温度响应三极管的基极还连接所述温度响应三极管的发射极。

4.根据权利要求2所述的功率放大器电路,其特征在于,所述温度响应模块包括温度响应二极管;

所述温度响应二极管的正极连接所述第一电阻的第二端,所述温度响应二极管的负极连接所述第二电阻的第一端。

5.根据权利要求1所述的功率放大器电路,其特征在于,所述主偏置单元包括主偏置放大器、主电阻、电容与温度补偿模块;

所述温度补偿模块连接于所述主偏置放大器的控制端与地之间;所述温度补偿模块用于补偿所述主偏置放大器的静态工作点的偏移;

所述电容连接于所述温度补偿模块的两端;

所述主电阻的第一端连接所述参考电压端,所述主电阻的第二端连接所述温度补偿模块的第一端;

所述主偏置放大器的第一端连接所述供电电压端,所述主偏置放大器的第二端直接或间接连接所述功率管的控制端,以在所述主偏置放大器导通时,向所述功率管提供所述第一偏置电压。

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