[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括第一区域和不同于所述第一区域的第二区域，所述方法包括以下步骤：

(a)制备半导体衬底；

(b)在所述第一区域和所述第二区域中的每个区域中的所述半导体衬底上形成第一图案；

(c)在所述第一图案的侧表面上、以及所述第一区域和所述第二区域中的每个区域中的所述半导体衬底上形成第二图案，所述第二图案由与构成所述第一图案的材料不同的材料制成；

(d)选择性地去除所述第一区域中的所述第二图案；以及

(e)在所述步骤(d)之后，通过对所述半导体衬底执行第一各向异性刻蚀工艺，在如下状态下在所述第一区域中形成第一鳍、并且在所述第二区域中形成第二鳍，在所述状态中所述第一图案被保留在所述第一区域中的所述半导体衬底上，同时所述第二图案被保留在所述第二区域中的所述半导体衬底上；

其中在所述步骤(e)中，所述第一鳍从与所述第一鳍相邻的所述半导体衬底的上表面突出，并且所述第二鳍从与所述第二鳍相邻的所述半导体衬底的所述上表面突出。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中在平面视图中，所述第一鳍在第一方向上延伸，并且在与所述第一方向正交的第二方向上具有第一宽度，

在平面视图中，所述第二鳍在第三方向上延伸，并且在与所述第三方向正交的第四方向上具有第二宽度，并且

所述第二宽度大于所述第一宽度。

3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一宽度是在所述第一鳍的不同高度位置处的相应宽度之中的平均宽度，并且

所述第二宽度是在所述第二鳍的不同高度位置处的相应宽度之中的平均宽度。

4.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第一鳍的侧表面相对于在所述第二方向上与所述第一鳍相邻的所述半导体衬底的所述上表面成第一角度，

所述第二鳍的侧表面具有第一表面，所述第一表面相对于在所述第四方向上与所述第二鳍相邻的所述半导体衬底的所述上表面成第二角度，并且

所述第二角度大于所述第一角度。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第二鳍的所述侧表面还具有第二表面，所述第二表面被定位为低于所述第一表面，并且所述第二表面相对于在所述第四方向上与所述第二鳍相邻的所述半导体衬底的所述上表面成第三角度，并且

所述第二角度大于所述第三角度。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，

其中所述步骤(e)中的所述第一各向异性刻蚀工艺在如下条件下来执行，在所述条件下使得所述半导体衬底和所述第二图案易于被刻蚀，并且使得所述第一图案难以被刻蚀。

7.根据权利要求6所述的制造半导体器件的方法，

其中所述步骤(e)包括以下步骤：

(e1)在以下情况下对所述半导体衬底执行所述第一各向异性刻蚀工艺：在所述第一区域中使用所述第一图案作为掩模，并且在所述第二区域中使用所述第一图案和所述第二图案作为掩模；以及

(e2)在所述步骤(e1)之后，在以下情况下对所述半导体衬底执行所述第一各向异性刻蚀工艺：在所述第二图案被去除的状态下，在所述第一区域和所述第二区域中使用所述第一图案作为掩模。

8.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，

其中所述第二鳍的侧表面具有通过所述步骤(e1)和所述步骤(e2)形成的第二表面，以及通过所述步骤(e2)形成、并且比所述第二表面高的第一表面，并且

由所述第一表面与和所述第二鳍相邻的所述半导体衬底的所述上表面形成的第二角度大于第三角度，所述第三角度由所述第二表面与和所述第二鳍相邻的所述半导体衬底的所述上表面形成。

9.根据权利要求7所述的制造半导体器件的方法，

其中构成所述半导体衬底的材料和构成所述第二图案的材料中的每个材料是硅，并且

构成所述第一图案的材料是氧化硅。