[发明专利]一种高压电机用无取向硅钢50SBW600的制备方法

权利要求书

1.一种高压电机用无取向硅钢50SBW600的制备方法，其特征在于，包括：

步骤S1，将装有精炼钢水的钢包运至回转台，回转台进行旋转，当钢包对准到浇铸位置后，将钢水注入中间包；

步骤S2，中控单元检测中间包内钢水液面高度，根据钢水液面高度调整中间包水口开度，中间包通过所述水口将所述钢水分配至若干个结晶器中，所述结晶器中设置有浸入式水口，向所述浸入式水口内通入用以将水口密封的氩气，所述结晶器内设有结晶量检测装置，结晶器外壁设有第一电磁搅拌器和冷却循环系统；

步骤S3,钢水在结晶器内生成晶核，结晶器将带有晶核的钢水下放至通道;

步骤S4，通道上设有第二电磁搅拌器，第二电磁搅拌器对通道内钢水进行电磁搅拌,所述钢水在通道中逐步转换为钢坯；

步骤S5,拉矫辊将所述钢坯拉出通道并对钢坯进行形态矫正；

步骤S6,切断装置对根据所需铸坯长度对所述钢坯进行切割；

在上述步骤S3中，钢水进行结晶时，所述中控单元启动所述第一电磁搅拌器对所述结晶器内的钢水进行电磁搅拌并启动所述冷却循环系统对结晶器内钢水进行降温，当结晶器对钢水进行结晶并经过检验时长T1时，所述结晶量检测装置检测结晶器内的结晶量并将检验结果传递至所述中控单元，中控单元根据结晶量判断是否将结晶器中的钢水下放至通道；

当结晶量不足以将所述结晶器内钢水下放至所述通道中时，中控单元根据此时结晶器中的结晶量调节冷却循环系统中的冷却液循环速度与补偿结晶时长；

当结晶量足够将所述结晶器内钢水下放至所述通道中时，中控单元根据结晶量调节所述第二电磁搅拌器的放置位置，并根据结晶量调节第二电磁搅拌器的搅拌频率；

所述结晶器内设有摩擦力检测装置，当将所述结晶器中的钢水下放至所述通道时，所述摩擦力检测装置检测钢水下放过程中的摩擦力，所述中控单元根据检测到的摩擦力对第二电磁搅拌器的搅拌频率进行二次调节；

当钢水进行结晶时，所述中控单元启动所述第一电磁搅拌器对所述结晶器内的钢水进行电磁搅拌并启动所述冷却循环系统对结晶器内钢水进行降温，第一电磁搅拌器频率为A，冷却循环系统内冷却液循环速度为V；

所述中控单元内设有第一结晶量参考值C1、第二结晶量参考值C2和第三结晶量参考值C3，当结晶器对钢水进行结晶并经过检验时长T1时，所述结晶量检测装置检测结晶器内的结晶量C并将检验结果传递至所述中控单元，中控单元将结晶量C与第一结晶量参考值C1进行对比：

当C≤C1时，所述中控单元判定所述结晶器内结晶数量不足，结晶器下端继续关闭，中控单元加大所述冷却循环系统内冷却液循环速度；

当C＞C1时，所述中控单元判定所述结晶器内结晶数量充足，中控单元控制结晶器下端阀门开启，结晶器将带有晶核的钢水下放至通道；

所述第二电磁搅拌器通过滑动架安装在所述通道上，所述滑动架在通道上设有三个固定位置，分别为滑动架第一位置、滑动架第二位置和滑动架第三位置，其中，所述滑动架第一位置距所述结晶器距离最短，所述滑动架第三位置距所述结晶器距离最长；

所述中控单元内设有第二电磁搅拌器的初始搅拌频率P；

当C＞C1时，所述中控单元将C与第二结晶量参考值C2和第三结晶量参考值C3进行对比，根据对比结果中控单元确定所述滑动架位置与第二电磁搅拌器的搅拌频率；

当所述结晶量检测装置检测结晶器内的结晶量C≤C2时，所述中控单元控制所述滑动架移动至所述滑动架第三位置；

所述中控单元计算结晶量C与第二结晶量参考值C2的差值ΔE1，ΔE1=C2-C，中控单元根据差值ΔE1计算第二电磁搅拌器的搅拌频率P1，P1=P-P×ΔE1×G1，其中，G1为差值ΔE1对第二电磁搅拌器的搅拌频率P1的调节参数；

当C2＜C≤C3时，所述中控单元控制所述滑动架移动至所述滑动架第二位置；所述中控单元判定此时电机搅拌频率为P2，设定P2=P；

当中控单元判定钢水下放过程中的摩擦力不足时，钢水下放速度较理论速度大，加大第二电磁搅拌器的搅拌频率，提高无取向硅钢50SBW600的等轴晶率，提升无取向硅钢50SBW600连铸质量；当中控单元判定钢水下放过程中的摩擦力过大，钢水下放速度较理论速度小，减小第二电磁搅拌器的搅拌频率，提高无取向硅钢50SBW600的等轴晶率。