[发明专利]一种新型聚碳硅烷陶瓷先驱体材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110382384.8 申请日: 2021-04-09
公开(公告)号: CN115197430A 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 贺卫东;陈丽滨;谢丹松;陈家煌 申请(专利权)人: 福建立亚化学有限公司
主分类号: C08G77/60 分类号: C08G77/60;D01F9/10;C04B35/571
代理公司: 北京立成智业专利代理事务所(普通合伙) 11310 代理人: 张厚山
地址: 362804 福建省泉州市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 硅烷 陶瓷 先驱 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种新型聚碳硅烷陶瓷先驱体材料,其特征在于,其化学结构式为:

其中,m1、m2、m3、m4均为正整数,且m≥1。

2.根据权利要求1所述的一种新型聚碳硅烷陶瓷先驱体材料,其特征在于:(m1+m2+m4)∶m3比值为10∶1~100∶1。

3.根据权利要求1至2任一所述的一种新型聚碳硅烷陶瓷先驱体材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)、将金属钠熔融于二甲苯溶剂中,并往其内加入二甲基二氯硅烷进行合成,以获得聚二甲基硅烷;

(2)、将金属钠熔融于二甲苯溶剂中,并往其内加入二苯基二氯硅烷进行合成,以获得聚二苯基硅烷;

(3)、将步骤(1)合成的聚二甲基硅烷进行高温裂解,以收集第一小分子混合液;

(4)、将步骤(2)合成的聚二苯基硅烷进行高温裂解,以收集第二小分子混合液;

(5)、将步骤(3)获得的第一小分子混合液和步骤(4)获得的第二小分子混合液按一定的质量比经高温高压重排合成,以获得含有苯基的聚碳硅烷,该含有苯基的聚碳硅烷的软化点在200℃~250℃,分子量在1100~1600。

4.根据权利要求3所述的一种新型聚碳硅烷陶瓷先驱体材料的制备方法,其特征在于:在步骤(1)中,二甲苯溶剂的温度控制在100℃~120℃之间,二甲基二氯硅烷的滴加时长为10~20h,滴加结束后控制反应温度为110~140℃,从滴加到反应结束总时长为24~50h后得到聚二甲基硅烷,产物依次经溶剂脱除、水洗和真空干燥,以得到白色粉末状聚二甲基硅烷。

5.根据权利要求3所述的一种新型聚碳硅烷陶瓷先驱体材料的制备方法,其特征在于:在步骤(1)中,金属钠与二甲基二氯硅烷的摩尔比为2∶1~3∶1;金属钠与二甲苯的质量比为1∶1~1∶3。

6.根据权利要求3所述的一种新型聚碳硅烷陶瓷先驱体材料的制备方法,其特征在于:在步骤(2)中,二甲苯溶剂的温度控制在100℃~120℃之间,二苯基二氯硅烷的滴加时长为10~20h,滴加结束后控制反应温度为110~140℃,从滴加到反应结束总时长为24~50h后得到聚二苯基硅烷,产物依次经溶剂脱除、水洗和真空干燥,以得到白色粉末状聚二苯基硅烷。

7.根据权利要求3所述的一种新型聚碳硅烷陶瓷先驱体材料的制备方法,其特征在于:在步骤(2)中,金属钠与二苯基二氯硅烷的摩尔比为2∶1~3∶1;金属钠与二甲苯的质量比为1∶1~1∶3。

8.根据权利要求3所述的一种新型聚碳硅烷陶瓷先驱体材料的制备方法,其特征在于:在步骤(3)中,先将步骤(1)合成的聚二甲基硅烷投入至裂解釜中对其进行抽真空,当抽真空至-0.08MPa~-0.10MPa后关闭裂解釜真空阀,后往裂解釜中通入氮气,当裂解釜内压力为0.02~0.04MPa,对其保压15~24h,然后再将裂解釜进行抽真空至至<-0.09MPa后,对裂解釜进行加热和搅拌,当裂解釜的温度加热至200℃时,保温1~2h,用于去除聚二甲基硅烷的残余溶剂;最后,往裂解釜中通入氮气,使裂解釜内压力为0.02Mpa,裂解釜中裂解产生的气体经冷凝,最后通过第一小分子液体罐收集第一小分子混合液。

9.根据权利要求3所述的一种新型聚碳硅烷陶瓷先驱体材料的制备方法,其特征在于:在步骤(4)中,先将步骤(2)合成的聚二苯基硅烷投入至裂解釜中对其进行抽真空,当抽真空至-0.08MPa~-0.10MPa后关闭裂解釜真空阀,后往裂解釜中通入氮气,当裂解釜内压力为0.02~0.04MPa,对其保压15~24h,然后再将裂解釜进行抽真空至至<-0.09MPa后,对裂解釜进行加热和搅拌,当裂解釜的温度加热至200℃时,保温1~2h,用于去除聚二苯基硅烷的残余溶剂;最后,往裂解釜中通入氮气,使裂解釜内压力为0.02Mpa,裂解釜中裂解产生的气体经冷凝,最后通过第二小分子液体罐收集第二小分子混合液。

10.根据权利要求3所述的一种新型聚碳硅烷陶瓷先驱体材料的制备方法,其特征在于:在步骤(5)中,将第一小分子混合液和第二小分子混合液按质量比为10∶1~100∶1投入至合成釜中,然后通入氮气,以将合成釜内的压力调至0.2Mpa~0.8Mpa后停止通氮气,保持合成釜3内的压力为0.2~0.8Mpa,紧接着,对合成釜进行加热和搅拌,当合成釜内的温度到达300℃时开启回流装置,当合成釜内的温度到达350℃时,对其保温2~3小时后关闭回流装置,当合成釜内的温度升温至400℃~600℃时,对其保温20~80小时后将合成釜内的液体依次经过滤、冷却48小时后,即获得含有苯基的聚碳硅烷。

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