[发明专利]磁传感器,磁编码器及透镜位置检测装置在审
申请号: | 202110377414.6 | 申请日: | 2021-04-08 |
公开(公告)号: | CN113494928A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 蔡永福;平林启;梅原刚 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G01D5/12 | 分类号: | G01D5/12;G01B7/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 编码器 透镜 位置 检测 装置 | ||
本发明的磁传感器具有第一至第四电阻体、电源端口、接地端口、第一输出端口和第二输出端口。第一电阻体和第二电阻体被配置于第一区域内,且通过与第一输出端口相连的第一连接点串联。第三电阻体和第四电阻体在与X方向平行的方向上,至少一部分被配置于与第一区域不同的第二区域内,且通过与第二输出端口相连的第二连接点串联。第一及第二电阻体在与Y方向平行的方向上,被配置于第三电阻体和第四电阻体之间。
技术领域
本发明涉及磁传感器和使用该磁传感器的磁编码器及透镜位置检测装置。
背景技术
使用该磁传感器的磁编码器用于检测在规定方向上发生位置变化的可动物体的位置。规定方向是指直线方向或旋转方向。用以检测可动物体位置的磁编码器以对应于可动物体的位置的变化,在规定范围内,磁刻度尺等的磁场发生器相对于磁传感器的相对位置会发生变化那样的方式构成。
磁场发生器对磁传感器的相对位置发生变化时,由磁场发生器产生的被施加到磁传感器上的对象磁场的一方向的分量的强度发生变化。磁传感器,例如检测对象磁场的一方向的分量强度,并生成与该一方向的分量强度相应的且相位相互不同的两个检测信号。磁编码器基于两个检测信号,生成与磁场发生器相对于磁传感器的相对位置具有对应关系的检测值。
磁编码器所用的磁传感器是使用了多个磁阻效应元件的磁传感器。例如,国际专利公开第2009/031558号,国际专利公开第2009/119471号中公开了一种磁传感器,该磁传感器的磁阻效应元件为在磁铁及磁传感器相对移动方向和与该相对移动方向正交的方向上,配置的多个GMR(巨磁阻效应)元件。
特别是,在国际专利公开第2009/119471号中公开的磁传感器中,由多个GMR元件构成了A相的电桥电路与B相的电桥电路。另外,在这个磁传感器中,若将磁铁的N极和S极的中心间距(间距)设为λ,在相对移动方向上以λ,λ/2或者λ/4的中心间距配置有多个GMR元件。从A相的电桥电路和B相的电桥电路中可以得到相位仅偏差λ/2的输出波形。
但是,在磁编码器中,已知有由于高次谐波而导致磁传感器的检测信号的波形失真的现象。当磁传感器的检测信号的输出波形失真时,无法在以良好的精度检测磁场发生器对磁传感器的相对位置。针对该问题,日本国专利申请公开昭和63-225124号公报中公开了一种磁传感器,其依据磁性介质的信号磁场的NS极的间距和高次谐波的次数,通过将多个磁阻效应元件以规定的间隔进行配置,以消除高次谐波。
此外,在中国专利申请公开第1049137992A号说明书中,公开了一种磁传感器,其基于磁刻度的记录信号的波长λ的1/2或λ的间距P的1/2,沿磁刻度的长边方向将多个TMR(隧道磁阻效应)元件配置于可以消除奇次高次谐波失真的位置。在该磁性传感器中,在磁刻度尺的宽度方向上配置有密集排列有多个TMR元件的-COS检测部,COS检测部,-SIN检测部以及SIN检测部。-COS检测部和COS检测部,以1个间距P的间隔配置在磁刻度尺的长边方向上。-SIN检测部和SIN检测部以1个间距P的间隔配置在磁刻度尺的长边方向上。-COS检测部和-SIN检测部以1个间距P的一半的间隔(即λ/4)配置在磁刻度尺的长边方向上。
在使用磁传感器的磁编码器中,将磁传感器以规定的姿势与磁场发生器对置设置。但是,实际应用中,磁传感器的设置精度上,磁传感器倾斜的情况时有发生。磁传感器倾斜时,会发生磁场发生器对于磁传感器的相对位置的检测精度降低的问题。特别是如中国专利申请公开第104913792A号说明书中公开的磁传感器,沿着磁刻度尺的长边方向配置有多个磁阻效应元件的情况下,由于磁传感器倾斜而导致的问题显著发生。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种能够抑制由于磁传感器倾斜而发生的问题的磁传感器,及使用了该磁传感器的磁编码器与透镜位置检测装置。
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