[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法在审
| 申请号： | 202110376136.2 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN113493925A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 池田将人 | 申请（专利权）人： | 阔斯泰公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B29/06;C03B19/06;C03B19/04;C03B20/00 |
| 代理公司： | 北京奉思知识产权代理有限公司 11464 | 代理人： | 刘欣欣;王国志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石英玻璃 坩埚 及其 制造 方法 | ||
1.一种石英玻璃坩埚，用于培育单晶硅，其特征在于，
至少在从所述石英玻璃坩埚的内表面至深度3mm的区域中的氧过量缺陷的含量为3×1011个/g以下。
2.一种石英玻璃坩埚的制造方法，是权利要求1所述的石英玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，包含：
使坩埚成型用模具的内侧部件绕轴旋转，并且向所述内侧部件内供给玻璃原料粉末的步骤；
利用吸引力和离心力将所述玻璃原料粉末按压于绕轴旋转的所述内侧部件的内表面，在所述内侧部件的内表面上形成具有至少1层的原料粉末层叠体的步骤；
将所述原料粉末层叠体的内侧加热熔融，使所述原料粉末层叠体的整体玻璃化而形成坩埚形状体的步骤；以及
将所述坩埚形状体的内侧表面温度保持在950℃～1200℃之间的步骤，
在将所述坩埚形状体的内侧表面温度保持在950℃～1200℃之间的步骤中，使与所述坩埚形状体中包含的氧发生反应的反应性气体至少暴露于所述坩埚形状体的内表面。
3.根据权利要求2所述的石英玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，
在将所述坩埚形状体的内侧表面温度保持在950℃～1200℃之间的步骤中，以大于5L/秒且小于20L/秒向所述坩埚形状体的内表面喷吹与所述坩埚形状体中包含的氧发生反应的反应性气体60分钟以上。
4.根据权利要求2或3所述的石英玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，
在将所述坩埚形状体的内侧表面温度保持在950℃～1200℃之间的步骤中，喷吹所述反应性气体的时间为60分钟以上且180分钟以下。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的石英玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，
所述反应性气体为氢气。
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