[发明专利]基于CrPS4

权利要求书

1.基于CrPS₄偏振敏感的光电探测器的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

(1)采用化学气相输送法制备CrPS₄单晶；

(2)用硅片刀将商业用标准4英寸p型掺杂的单抛氧化硅片切成1×1cm大小，清洗吹干后，得到硅片衬底；

(3)在手套箱中采用机械剥离法解离CrPS₄单晶薄片，再通过干法转移方法转移至硅片衬底上；

(4)在步骤(3)中所得到的产物上旋涂PMMA光刻胶，旋涂两次后烘干，得到预处理硅片衬底；

(5)使用电子束对预处理硅片衬底进行曝光，后通过显影技术得到所设计的电极图案；

(6)通过电子束蒸镀的方法使用镀膜仪在步骤(5)中所得到的产物上先蒸镀第一层金属，再通过热蒸发的方法使用镀膜仪蒸镀第二层金属，得到电极样品；

(7)将电极样品放入丙酮中浸泡，取出后加热，再利用胶头滴管对电极样品上方洗吹，待非电极区域的镀层全部剥离硅片衬底后取出，接着用氮气吹干，得到基于CrPS₄偏振敏感的光电探测器。

2.根据权利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，单抛氧化硅片中SiO₂部分的厚度为200-500nm，Si部分的厚度为500μm。

3.根据权利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，将切割后的单抛氧化硅片依次用丙酮、无水乙醇，去离子水浸泡并分别超声5-10min，再用氮气吹干，得到硅片衬底。

4.根据权利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，第一次旋涂的转速为500-700r/min，持续5-8s；第二次旋涂的转速为3500-4500r/min，持续55-65s。

5.根据权利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，烘干时间为5-8min，烘干温度为150-160℃。

6.根据权利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，第一层金属为钛、铬中的任一种。

7.根据权利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，第二层金属为金、钯、铂、铟中的任一种。

8.根据权利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(6)中，第一层金属的厚度为5-20nm，第二层金属的厚度为20-100nm。

9.根据权利要求1所述的基于CrPS₄偏振敏感的光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤(7)中，加热时间为10-20min，加热温度为35-45℃。