[发明专利]集成滤光器和光电检测器及其制造方法

权利要求书

1.一种集成滤光器和光电检测器，所述集成滤光器和光电检测器包括：

衬底；

所述衬底上的绝缘体层；

所述绝缘体层上的半导体层；

在所述半导体层中或所述半导体层上形成的具有谐振腔的滤光器；

在所述半导体层上形成肖特基势垒的第一金属指状物和第二金属指状物，其中，所述第一金属指状物由相对于所述第二金属指状物不同的金属构建。

2.如权利要求1所述的集成滤光器和光电检测器，其中，所述滤光器是环形谐振器。

3.如权利要求2所述的集成滤光器和光电检测器，其中，所述第二金属指状物交错位于所述第一金属指状物中的两个第一金属指状物之间，并且其中，所述第一金属指状物和所述第二金属指状物形成在所述环形谐振器上。

4.如权利要求3所述的集成滤光器和光电检测器，其中，所述第一金属指状物以及交错位于所述两个第一金属指状物之间的所述第二金属指状物具有接地-信号-接地(GSG)焊盘配置。

5.如权利要求1所述的集成滤光器和光电检测器，其中，所述第一金属指状物与所述半导体层形成空穴势垒高度在约0.2eV至约0.4eV之间的肖特基势垒，并且其中，所述第二金属指状物与所述半导体层形成电子势垒高度在约0.2eV至约0.4eV之间的肖特基势垒。

6.如权利要求1所述的集成滤光器和光电检测器，其中，所述第一金属指状物由以下材料中的一种或多种材料构建：铜、铝、铂、钯或金。

7.如权利要求1所述的集成滤光器和光电检测器，其中，所述第二金属指状物由以下材料中的一种或多种材料构建：铜、铝、铂、钯或金。

8.如权利要求1所述的集成滤光器和光电检测器，其中，所述半导体层是无掺杂的。

9.如权利要求1所述的集成滤光器和光电检测器，其中，所述半导体层、绝缘体层和衬底具有绝缘体上硅(SOI)结构。

10.如权利要求1所述的集成滤光器和光电检测器，其中，所述半导体层不包括在所述半导体层中或所述半导体层上形成的锗层。

11.如权利要求1所述的集成滤光器和光电检测器，其中，所述第一金属指状物的厚度在约10nm至约70nm之间。

12.如权利要求1所述的集成滤光器和光电检测器，其中，所述第一金属指状物的宽度在约300nm至约500nm之间。

13.如权利要求1所述的集成滤光器和光电检测器，其中，所述第一金属指状物与所述第二金属指状物之间的间隔在约100nm至约1000nm之间。

14.一种形成集成滤光器和光电检测器的方法，所述方法包括：

提供衬底、所述衬底上的绝缘体层、以及所述绝缘体层上的半导体层；

在所述半导体层中或所述半导体层上形成具有谐振腔的滤光器；

在所述半导体层上沉积第一金属指状物和第二金属指状物从而形成肖特基势垒，其中，所述第一金属指状物由相对于所述第二金属指状物不同的金属构建。

15.如权利要求13所述的方法，其中，在所述半导体层中或所述半导体层上形成滤光器包括形成环形谐振器。

16.如权利要求14所述的方法，其中，沉积第一金属指状物和第二金属指状物进一步包括将交错位于两个第一金属指状物之间的所述第二金属指状物沉积在所述环形谐振器上。