[发明专利]气体供应单元及包括其的衬底处理设备在审
申请号: | 202110371203.1 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN113539775A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 金材玹;金大渊;李政镐;张显秀;全然孮 | 申请(专利权)人: | ASMIP私人控股有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C16/455;C23C16/505;C23C16/52 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 气体 供应 单元 包括 衬底 处理 设备 | ||
一种能够防止功率耗散且实现高过程再现性的衬底处理设备包括分隔件和在分隔件下方的处理单元,其中处理单元包括导电本体和与导电本体一体地形成的至少一个导电突起。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种气体供应单元和包括其的衬底处理设备,且更具体地涉及一种用于处理衬底的气体供应单元和包括所述气体供应单元的衬底处理设备。
背景技术
当在半导体或显示器制造设备中以高温处理衬底时,该过程可能需要在高温气氛中执行。在这种情况下,由于高温气氛,可能发生反应器的变形。由于反应器的变形,可能会发生功率损失(特别是等离子体处理中的RF功率)等,并且过程再现性可能恶化。
高温气氛中的反应器的变形问题也在韩国专利公开号10-2011-0058534中提到。更详细而言,下文提及随着衬底的尺寸增加,气体注入板制造成大尺寸,并且沉积薄膜的厚度均匀性由于热变形增加而恶化。
发明内容
一个或多个实施例包括气体供应单元和包括其的衬底处理设备,其可以防止在如上所述的高温过程中的反应器变形以及所产生的功率损失和过程再现性降低。
其它方面将在下面的描述中部分地阐述,并且部分地将从描述中显而易见,或可以通过实践所呈现的本公开的实施例而了解。
根据一个或多个实施例,衬底处理设备包括分隔件和在分隔件下方的处理单元,其中处理单元包括导电本体和与导电本体一体地形成的至少一个导电突起。
根据衬底处理设备的实例,衬底处理设备可进一步包括导电本体与导电突起之间的金属导电接头,其中导电本体、导电突起和金属导电接头可彼此一体地形成。
根据衬底处理设备的另一实例,金属导电接头可具有一定曲率。
根据衬底处理设备的另一实例,金属导电接头可具有凹形形状。
根据衬底处理设备的另一实例,衬底处理设备可进一步包括导电本体与导电突起之间的焊接接头。
根据衬底处理设备的另一实例,焊接接头可包括填角焊缝。
根据衬底处理设备的另一实例,填角焊缝可具有凹形形状。
根据衬底处理设备的另一实例,导电本体、导电突起和焊接接头中的至少一个可进一步包括受热影响部分,且受热影响部分可具有与导电本体、导电突起和焊接接头不同的特性。
根据衬底处理设备的另一实例,导电本体可包括:多个第一联接孔,多个第一联接孔沿着与导电本体的中心分离开并且具有第一半径的第一圆周形成;以及多个第二联接孔,多个第二联接孔沿着与导电本体的中心分离开并且具有大于第一半径的第二半径的第二圆周形成。
根据衬底处理设备的另一实例,导电本体和导电突起可以通过布置在第一联接孔中的第一联接单元固定到分隔件,并且导电本体和导电突起可以通过布置在第二联接孔中的第二联接单元进一步固定到分隔件。
根据衬底处理设备的另一实例,至少一个导电突起可在第二圆周上。
根据衬底处理设备的另一实例,导电本体可包括其中形成多个注入孔的第一表面和与第一表面相对的第二表面,且导电突起可从第二表面突出。
根据衬底处理设备的另一实例,导电突起可包括从第二表面延伸以穿过分隔件的端部部分。
根据衬底处理设备的另一实例,衬底处理设备可进一步包括电源部分,且导电突起的端部部分可电连接到电源部分。
根据衬底处理设备的另一实例,衬底处理设备可进一步包括布置成接触分隔件的加热单元、配置成测量加热单元的第一部分的温度的第一热电偶,以及配置成测量加热单元的第二部分的温度的第二热电偶。
根据衬底处理设备的另一实例,第一热电偶和第二热电偶可相对于加热单元的中心对称地布置。
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