[发明专利]发光器件和包括其的设备

权利要求书

1.一种发光器件，所述发光器件包括：

第一电极；

第二电极，面对所述第一电极；以及

有机层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，

其中，所述有机层包括m个发射单元和m-1个电荷产生单元，每个电荷产生单元位于彼此相邻的发射单元之间，

m为2或更大的自然数，

所述m-1个电荷产生单元中的至少一个包括n型电荷产生层、p型电荷产生层和p型空穴注入层，

所述n型电荷产生层包括n型有机化合物和金属材料，并且

所述p型电荷产生层和所述p型空穴注入层均独立地包括无机半导体材料。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，包括在所述n型电荷产生层中的所述n型有机化合物为菲类化合物或氧化膦类化合物。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，包括在所述n型电荷产生层中的所述金属材料包括从碱金属、碱金属的合金、碱土金属、碱土金属的合金、镧系金属和镧系金属的合金中选择的至少一种。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，包括在所述n型电荷产生层中的所述金属材料包括从锂、钠、Bi-Li合金、Bi-Na合金、镱、钐、铕、铽、钬和镝中选择的至少一种。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，包括在所述n型电荷产生层中的所述n型有机化合物与所述金属材料之间的结合能为1.25电子伏特或更高。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，包括在所述n型电荷产生层中的所述n型有机化合物与所述金属材料的体积比在99.9:0.1至80:20的范围内。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，包括在所述p型电荷产生层中的所述无机半导体材料和包括在所述p型空穴注入层中的所述无机半导体材料均独立地为后过渡金属、碲、过渡金属的卤化物、后过渡金属的卤化物、过渡金属的碲化物、后过渡金属的碲化物、过渡金属的硫化物、后过渡金属的硫化物、过渡金属的硒化物、后过渡金属的硒化物或它们的任何组合。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述p型电荷产生层和所述p型空穴注入层均独立地进一步包括空穴传输有机化合物。