[发明专利]一种铕掺杂的超宽带红色荧光材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种铕掺杂的超宽带红色荧光材料，其特征在于其化学通式为：K₃GdSi₂O₇:xEu，其中0.002≤x≤0.2，Eu是指Eu²⁺和Eu³⁺两种不同化学价态共存的离子。

2.一种铕掺杂的超宽带红色荧光材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤(1)、按化学通式K₃GdSi₂O₇:xEu中对应元素的化学计量比称取各原料：含有钾离子的化合物、含有钆离子的化合物、含有硅离子的化合物、含有铕离子的化合物；其中，0.002≤x≤0.2，Eu是指Eu²⁺和Eu³⁺两种不同化学价态共存的离子；

步骤(2)、将步骤(1)中的各原料混合并充分研磨，置于空气气氛下煅烧，随后自然冷却至常温；

步骤(3)、将步骤(2)煅烧后的混合物再次充分研磨均匀后，置于还原气氛下煅烧，随后自然冷却至室温，得到所需Eu²⁺-Eu³⁺共存的硅酸盐红色荧光粉。

3.根据权利要求2所述的一种铕掺杂的超宽带红色荧光材料的制备方法，其特征在于步骤(2)所述煅烧温度为600-1000℃，煅烧时间为2-24小时。

4.根据权利要求2所述的一种铕掺杂的超宽带红色荧光材料的制备方法，其特征在于步骤(3)所述煅烧温度为1050-1450℃，煅烧时间为2-12小时。

5.根据权利要求2所述的一种铕掺杂的超宽带红色荧光材料的制备方法，其特征在于步骤(1)中含有钾离子K⁺的化合物为K₂CO₃、KHCO₃、K₂O中的一种或多种。

6.根据权利要求2所述的一种铕掺杂的超宽带红色荧光材料的制备方法，其特征在于步骤(1)中含有钆离子Gd³⁺的化合物为Gd₂O₃、Gd(NO₃)₃中的一种或两种。

7.根据权利要求2所述的一种铕掺杂的超宽带红色荧光材料的制备方法，其特征在于步骤(1)中含有硅离子Si⁴⁺的化合物为SiO₂。

8.根据权利要求2所述的一种铕掺杂的超宽带红色荧光材料的制备方法，其特征在于步骤(1)中含有铕离子Eu³⁺的化合物为Eu₂O₃、Eu(NO₃)₃中的一种或两种。

9.根据权利要求2所述的一种铕掺杂的超宽带红色荧光材料的制备方法，其特征在于步骤(3)中还原气氛采用以下任意一种：①由活性碳或者碳粒燃烧得到；②纯氢气；③氮氢混合气体。

10.根据权利要求1所述的一种铕掺杂的超宽带红色荧光材料在制备白光LED照明器件上的应用。