[发明专利]提高硅片表面清洗能力的洗净装置及其控制方法

权利要求书

1.一种提高硅片表面清洗能力的洗净装置的洗净装置，其特征在于：洗净装置结构包括清洗槽（1），所述的清洗槽（1）上方设有上机架（2），所述的清洗槽（1）内设有清洗组件（6），所述的清洗组件（6）与上机架（2）间设有升降气缸（4），所述的升降气缸（4）与上机架（2）间设有旋转电机（3）；所述的清洗组件（6）包括片盒（10），所述的片盒（10）内设有若干呈等间距分布的硅片（12），所述的硅片（12）上部两端设有与片盒（10）呈一体化的上挡板（11），所述的硅片（12）下部两端设有与片盒（10）呈一体化的下挡板（13）；

所述的清洗组件（6）下端与清洗槽（1）间设有与清洗槽（1）相活动式嵌套连接的转轴（9），所述的转轴（9）与清洗槽（1）间设有轴承（8），所述的转轴（9）与清洗组件（6）间设有托盘（7）；

控制方法包括如下操作步骤：

第一步：将硅片（12）放置到片盒（10）内，此时升降气缸（4）呈收缩状态，片盒（10）为镂空式箱体结构；

第二步：在清洗槽（1）内注入清洗剂，接着上机架（2）上的升降气缸（4）拉伸，使得清洗组件（6）下降至与托盘（7）压接；

第三步：启动旋转电机（3），托盘（7）通过转轴（9）和轴承（8）与清洗槽（1）固定连接，使得清洗组件（6）在清洗槽（1）内稳定的旋转；

第四步：完成硅片（12）洗净过程后，旋转电机（3）停止运行，升降气缸（4）收缩使得片盒（10）离开清洗槽（1）内的清洗剂；

第五步：然后对片盒（10）内的硅片（12）放在空的清洗槽（1）上进行纯水喷淋，接着旋转电机（3）启动运行，将硅片（12）表面的清洗剂和水甩干。

2.根据权利要求1所述的一种提高硅片表面清洗能力的洗净装置的洗净装置，其特征在于：所述的升降气缸（4）与清洗组件（6）间设有连接法兰盘（5）。

3.根据权利要求1所述的一种提高硅片表面清洗能力的洗净装置的控制方法，其特征在于：片盒（10）上下端通过上挡板（11）和下挡板（13）对硅片（12）起到限位作用。

4.根据权利要求1所述的一种提高硅片表面清洗能力的洗净装置的控制方法，其特征在于：清洗剂为SC1溶液，SC1由NH₄OH、H₂O₂、H₂O配比而成，NH₄OH:H₂O₂:H₂O的配比浓度为1:3:30～1:6:30。